基于密度泛函理论的GaN缺陷表面特性及TiO₂吸附行为研究.docxVIP

基于密度泛函理论的GaN缺陷表面特性及TiO?吸附行为研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代光电器件领域，氮化镓（GaN）凭借其卓越的物理性质，成为了备受瞩目的关键材料。GaN具有宽禁带（约3.4eV）、高电子迁移率、高热导率以及出色的化学稳定性等优点，这些特性使其在蓝光发光二极管（LED）、激光二极管（LD）、高电子迁移率晶体管（HEMT）以及紫外探测器等光电器件中展现出巨大的应用潜力，极大地推动了光电器件向高效、高功率、高频以及小型化方向发展。例如，在照明领域，GaN基LED以其高效节能、长寿命等优势，逐步取代传统照明光源，成为照明市场的主流产品；在通信领域，基于GaN的射频器件能够满足5G乃至未来6G通信对高频、高功率的严格需求，为高速数据传输提供有力支持。

然而，在实际的材料制备和器件制造过程中，GaN材料不可避免地会引入各种缺陷。这些缺陷的存在对GaN的物理性能和化学活性产生深远影响。从电学性能方面来看，点缺陷中的氮空位（V_N）作为施主缺陷，会导致费米能级向高能导带移动，从而改变材料的导电类型和载流子浓度；镓空位（V_{Ga}）则是受主缺陷，能引起费米能级向价带方向移动。线缺陷如位错，会成为载流子的散射中心，增加载流子的复合几率，降低材料的电子迁移率和少数载流子寿命，进而影响器件的电学性能。从光学性能角度出发，缺陷会引入额外的光学吸收和发光中心，干扰正常的光电转换过程，降低器件的发光效率和光输出功率。

当涉及到GaN与其他材料的复合体系时，如GaN与二氧化钛（TiO_2）的组合，表面缺陷对TiO_2的吸附行为起着关键作用。TiO_2因其良好的光催化活性、化学稳定性和低成本等特点，在光催化分解水制氢、污染物降解以及太阳能电池等领域具有重要应用。在这些应用中，TiO_2在GaN表面的吸附情况直接关系到复合体系的性能。合适的吸附结构和较强的相互作用能够促进光生载流子的分离和传输，提高光催化效率；反之，若吸附不佳，会导致载流子复合加剧，降低复合体系的性能。深入研究GaN缺陷表面及其对TiO_2吸附的影响，对于优化GaN基光电器件和复合光催化体系的性能具有重要的理论和实际意义。从理论层面讲，能够深化我们对材料表面物理和化学过程的理解，丰富和完善半导体表面科学理论；从实际应用角度看，有助于指导材料制备工艺的优化和新型光电器件的设计开发，提高器件性能，降低生产成本，推动光电器件和光催化技术的进一步发展和应用。

1.2国内外研究现状

国内外学者针对GaN缺陷表面以及TiO_2吸附方面开展了大量研究工作。在GaN缺陷表面研究领域，实验方面，利用高分辨透射电子显微镜（HRTEM），能够直观地观察到GaN晶体中缺陷的原子级结构和分布情况，为缺陷的识别和分析提供了直接的图像证据。通过光致发光（PL）光谱技术，可以检测与缺陷相关的发光中心，进而推断缺陷的类型和能级结构。在理论研究上，基于密度泛函理论（DFT）的第一性原理计算方法被广泛应用。例如，有研究运用此方法计算了六方GaN及其含不同空位缺陷模型的能带结构、差分电子密度和电子态密度，详细探讨了V_{Ga}和V_N等空位缺陷对GaN电学性能的影响，发现带隙宽度会随着V_{Ga}或V_N的增加而不断增大。

在TiO_2在GaN表面吸附的研究中，同样有许多成果。有学者采用DFT方法对TiO_2在GaN(0001)线缺陷表面的吸附进行了探究，获得了不同模型的总能量、态密度、表面能（吸附能）、形成能和电子密度等信息，计算表明含有[112(top)-0]线缺陷且在该线缺陷空位处有一个O原子的Ga端表面模型更倾向于吸附TiO_2，且最小吸附能为-11.258eV。还有研究运用基于第一性原理的从头计算分子动力学方法，模拟了不同温度下TiO_2分子在GaN(0001)表面吸附的动力学过程，研究了吸附过程中系统能量、动力学轨迹、布居分析、Mulliken表面成键电子密度分布以及扩散系数等性质，发现温度会影响TiO_2分子中两个O原子与GaN表面两个Ga原子的成键顺序，500℃时TiO_2在GaN(0001)表面吸附生长的速率最快。

尽管目前已经取得了上述诸多成果，但现有研究仍存在一些不足之处。一方面，对于复杂缺陷结构以及缺陷之间相互作用对TiO_2吸附影响的研究还不够深入，实际材料中往往存在多种缺陷共存的情况，这些缺陷之间的协同效应可能会对TiO_2的吸附和后续性能产生重要影响，但相关研究较为缺乏。另一方面，在实验研究中，精确控制缺陷的种类、浓度和分布仍然面临挑战，这限制了对缺陷与TiO_2吸附关系的深入理解和调控。本研究将针对这些不足，从理