第4章常用半导体器件.pptVIP

由于制造工艺的不同，其反向击穿电压一般比普通二极管低很多（普通二极管为数百伏，一般硅稳压管为几伏至几十伏）。（1）工作在反向击穿状态，即伏安特性曲线中的第三象限。稳压管的工作特点:（2）反向击穿是可逆的，当去掉反向电压时，稳压管恢复正常。（3）反向击穿特性曲线很陡。（4）稳压管在使用时要串联适当数值的限流电阻，防止造成热击穿而损坏。含稳压管电路的分析:（1）施加正向电压，稳压管（PN结）处于导通状态；（2）施加反向电压且小于反向击穿电压，稳压管处于截至状态；（3）施加反向击穿电压，稳压管处于稳压状态。第30页，共55页，星期日，2025年，2月5日4.3.2稳压管的主要参数1.稳定电压UZ4.稳定电流IZ3.动态电阻rZ2.电压温度系数?U5.最大允许耗散功率PZM【例4.3】图中通过稳压管的电流IZ等于多少？R是限流电阻，其值是否合适？IZDZ+20R=1.6k?UZ=12VIZM=18mAIZIZIZM，电阻值合适。【解】:返回第31页，共55页，星期日，2025年，2月5日【*例4.3】图市电路，两个稳压管VDZ1和VDZ2，其稳定电压分别为6.5V和8.5V，正向压降都是0.5V。试分析稳压管的状态并求输出电压。（b）因VDZ1、VDZ2处于反向偏置且出输入电压大于稳压值，故均处于稳压状态。【解】（a）因VDZ2处于正向偏置而导通，将VDZ1反向偏置电压嵌位在0.5V，故VDZ1处于截止状态。UO=0.5VUO=UVDZ1-UVDZ2=6.5-8.5=-2V第32页，共55页，星期日，2025年，2月5日§4.4半导体三极管4.4.1基本结构N型硅二氧化硅保护膜BECN型硅P型硅(a)平面型N型锗ECB铟球铟球PP(b)合金型第33页，共55页，星期日，2025年，2月5日1.NPN型三极管集电区集电结基区发射结发射区NN集电极C基极B发射极EP不论平面型或合金型，都分成NPN或PNP三层，因此又把晶体管分为NPN型和PNP型两类。ECB符号T第34页，共55页，星期日，2025年，2月5日集电区集电结基区发射结发射区N集电极C发射极E基极BNPPN2.PNP型三极管CBET符号结构特点：发射区载流子浓度高，基区薄（载流子浓度）低，集电结结面积大。第35页，共55页，星期日，2025年，2月5日4.4.2电流分配和放大原理我们通过实验来说明晶体管的放大原理和其中的电流分配，实验电路采用共发射极接法，发射极是基极电路和集电极电路的公共端。实验中用的是NPN型管，为了使晶体管具有放大作用，电源EB和EC的极性必须使发射结上加正向电压(正向偏置)，集电结加反向电压(反向偏置)。mA?AVVmAICECIBIERB+UBE?+UCE?EBCEB3DG100设EC=6V，改变可变电阻RB，则基极电流IB、集电极电流IC和发射极电流IE都发生变化，测量结果如下表：1.电流分配第36页，共55页，星期日，2025年，2月5日IB/mA00.020.040.060.080.10IC/mA0.0010.701.502.303.103.95IE/mA0.0010.721.542.363.184.05晶体管电流测量数据结论：(1)符合基尔霍夫定律(2)IC和IE比IB大得多。从第三列和第四列的数据可得这就是晶体管的电流放大作用。称为共发射极静态电流(直流)放大系数。电流放大作用还体现在基极电流的少量变化?IB可以引起集电极电流较大的变化?IC。式中，?称为动态电流(交流)放大系数第37页，共55页，星期日，2025年，2月5日(3)当IB=0(将基极开路)时，IC=ICEO，表中第1列数据ICEO0.001mA=1?A。(4)要使晶体管起放大作用，发射结必须正向偏置，发射区才可向基区发射电子；而集电结必须反向偏置，集电区才可收集从发射区发射过来的电子。第38页，共55页，星期日，2025年，2月5日2.三极管内部载流