纳米尺度下锗锑碲相变材料的制备工艺与光电性能研究.docxVIP

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2025-11-13 发布于上海
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纳米尺度下锗锑碲相变材料的制备工艺与光电性能研究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的飞速发展，对存储和光电器件性能的要求日益提高。在大数据时代，数据量呈指数级增长，传统存储技术面临着存储密度低、读写速度慢、能耗高等挑战。而在光电器件领域，如光通信、光计算等，需要具备高速响应、低能耗和高集成度的器件来满足不断增长的需求。纳米尺度下的锗锑碲（Ge-Sb-Te，GST）相变材料因其独特的物理性质，在这些领域展现出了巨大的应用潜力。

锗锑碲相变材料是一种硫系化合物，在晶态和非晶态之间具有显著不同的光学和电学性质。通过外部刺激，如电脉冲、光脉冲或热脉冲，能够实现两种状态之间的快速