电容匹配对负电容晶体管性能影响.pdfVIP

摘要

相较于传统的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），负电容场效应

晶体管（NegativeCapacitanceFieldEffectTransistor，NCFET）具备多项优势，更

以其低亚阈值摆幅，高驱动电流而引起极大关注，被认为是下一代低功耗集成电

路颇具前景的技术方案。本文使用计算机辅助设计（TechnologyComputerAided

Design，TCAD）工具研究基于全耗尽绝缘体上硅（FDSOI）技术的不同电容匹

配对NCFET特性影响。

首先，本文介绍了负电容效应的基础理论和物理机制，利用SentaurusTCAD

工具对FDSOI器件进行工艺建模，并将铁电负电容模型耦合到FDSOI器件构成

负电容场效应晶体管。

其次，本文详细分析了由于铁电材料参数（矫顽电场Ec，剩余极化强度Pr）

引起的不同电容匹配对NCFET的影响。首次定义比值Pr/Ec（RPE）作为衡量匹

配效果的参数，结果证实了良好的负电容匹配与RPE密切相关。此外，实验观察

到双层铁电结构的NCFET与单层铁电相比可在不同工作区有效地提升电容匹配

效果，从而增加导通电流，并减小亚阈区泄漏电流，最终使得NCFET具有更高

的开关电流比（ION/IOFF）。

再次，针对漏极电压引起的NCFET内栅电压的变化，本文详细探究了漏致

势垒降低效应（DIBL）以及负微分电阻（NDR）效应。结果表明，尽管电流强度

在强反型区各不相同，但DIBL在相同的RPE下保持一致，RPE可以直接量化DIBL

并描述NDR效应。而对于不同的RPE，当RPE减小时，DIBL效应减弱，但NDR

效应增强。本文对漏极电压升高引起的铁电材料不均匀极化进行了细致的分析，

并用于调整电容匹配以及改善DIBL和NDR，从而优化NCFET的性能。

最后，本文对NCFET的温度依赖性进行了仿真分析。实验结果显示，在铁

电材料温度小于居里温度时，随着温度上升，铁电电容与基线FDSOI晶体管总

栅电容的电容匹配程度下降，使得NCFET的亚阈值特性变差，并导致驱动电流

及输出电流下降。

本文工作为调整电容匹配效应以优化NCFET性能提供了直观且可量化分析

的参考依据。

关键词：负电容晶体管，电容匹配，负漏致势垒降低效应，负微分电阻，温度依

赖

ABSTRACT

Comparedwithtraditionalmetaloxidesemiconductorfieldeffecttransistors

(MOSFET),NegativeCapacitanceFieldEffectTransistor(NCFET)hasmany

advantages.Ithasattractedgreatattentionduetoitslowsub-thresholdswingandhigh

drivecurrent,andisconsideredapromisingtechnicalsolutionforthenextgeneration

oflow-powerintegratedcircuits.Inthisstudy,thecapacitancematchingofNCFET

basedonfullydepletedsilicon-on-insulator(FDSOI)technologyisinvestigatedusing

technologycomputer-aideddesign(TCAD)simulation.

First,thisarticleintroducesthetheoreticalmechanismofnegativecapacitancein

detailandusestheTCADSentaurustooltomodeltheFDSOIdeviceprocess,and

couplestheferroelectriccapacitormod