选择性横向外延生长半极性面GaN材料及器件光电性质的深度剖析与前沿探索.docx

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2025-11-15 发布于上海
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选择性横向外延生长半极性面GaN材料及器件光电性质的深度剖析与前沿探索

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代光电器件领域，GaN材料凭借其独特的物理性质和卓越的性能，占据着举足轻重的地位。作为第三代宽禁带半导体材料的杰出代表，GaN拥有高达3.4电子伏特的禁带宽度，这一特性使其在从可见光到紫外光区域的光电子器件，如发光二极管（LED）、激光二极管（LD），以及高温、抗辐照、大功率微电子器件等方面展现出广阔的应用前景。例如，在照明领域，GaN基LED以其高效、节能、长寿命等优势，逐步取代传统照明光源，成为照明行业的发展趋势；在通信领域，GaN基射频器件能够满足5G乃至未来