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低维材料驱动新型场效应晶体管的创新设计与卓越性能研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今科技飞速发展的时代，电子器件的性能不断提升，尺寸持续缩小，这对材料和器件结构提出了越来越高的要求。低维材料作为一类具有独特物理化学性质的新型材料，近年来在材料科学领域受到了广泛的关注和深入的研究。其维度的降低导致量子限域效应、边界效应等显著增强，赋予了低维材料许多与传统三维材料截然不同的优异特性，在电子学、能源、光学等众多领域展现出巨大的应用潜力。

场效应晶体管（FieldEffectTransistor，FET）作为现代集成电路的核心器件，自问世以来，在推动电子信息技术发展方面发挥了关键作用。随