负电容无结场效应晶体管的研究.pdfVIP

摘要

将具有负电容效应的铁电材料集成到传统无结场效应晶体管(JLFET)栅极可

构成负电容无结场效应晶体管(NC-JLFET)。NC-JLFET概念被提出之后，其就成

为微电子器件领域的研究热点，因为它不但可以克服芯片制造工艺中超陡突变结

的瓶颈，还能实现较低的工作电压，从而解决芯片难以为继的持续缩小和严重发

热问题。本文主要针对NC-JLFET的结构和机理进行深入探索，并通过TCAD

工具仿真和描述其电学特性。

首先，本文针对无结晶体管，从能带角度给出了其具体的工作机理，对负电

容无结晶体管的铁电电容模型和表面静电势模型进行了分析。

其次，通过SentaurusTCAD工具并依据相应的物理模型，对负电容无结双

栅晶体管进行了设计并仿真，比较了负电容无结双栅晶体管与传统JLFET的不

同电学特性。结果表明，NC-JLFET具有低于60mV/decade的陡亚阈值摆幅和低

工作电压的特点，并从铁电厚度、侧墙、掺杂浓度和温度方面分析了其对器件电

学特性的影响。

然后，本文对NC-JLFET的模拟/射频进行了研究，通过小信号仿真分析，证

实了其在跨导，输出电导方面都优于传统的JLFET。另外，仿真结果还发现，在

截止频率和最大振荡频率方面，NC-JLFET可以在更低的栅极电压下达到相同的

最大值，验证了该器件适合于低功耗电路应用。

最后，本文对具有三栅结构的负电容无结FinFET晶体管性能进行了分析，

并针对该器件提出了铁电厚度、铁电材料参数、侧墙和栅极介质参数的最佳选择，

使其性能达到最优。

负电容无结晶体管有望成为下一代应用于物联网的低成本低功耗集成器件，

本文所作研究对NC-JLFET的器件设计和性能优化具有指导意义。

关键词：无结晶体管，负电容晶体管，双栅结构，FinFET，低功耗器件

Keywords：Junctionlesstransistors,NegativeCapacitancetransistors,DoubleGate

stracture,FinFET,Low-powerdevice

目录

摘要I

ABSTRACTII

目录IV

第一章绪论1

1.1研究背景及意义1

1.2国内外研究进展4

1.2.1国外研究现状4

1.2.2国内研究现状6

1.3本文主要研究内容6

第二章负电容无结晶体管的工作机理与仿真工具8

2.1无结场效应晶体管8

2.1.1完全耗尽9

2.1.2部分耗尽10

2.1.3平带条件12

2.1.4累积13

2.2负电容无结晶体管模型14

2.2.1铁电电容模型14

2.2.2静电势模型17

2.3仿真工具介绍19

2.3.1SentaurusTCAD工具简介19

2.3.2器件仿真模型选取20

第三章负电容无结双栅晶体管特性研究21

3.1器件结构21

3.2铁电厚度对器件电学特性的影响21

3.3侧墙介质对器件电学特性的影响25

3.4掺杂浓度对器件电学特性的影响27

3.5温度对器件电学特性的影响32

3.5.1负电容无结双栅晶体管中的温度模型32

3.5.2温度对负电容无结双栅晶体管电容特性的影响33

3.5.3温度对负电容无结双栅晶体管转移特性的影响34

温度对负电容无结双栅晶体管输出特性的影响