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2025年半导体计算机集成制造题库
一、单项选择题（每题1分，共30题）
1.2025年半导体制造中，最先进的晶圆尺寸是？
A.200mm
B.300mm
C.400mm
D.500mm
2.半导体制造过程中，光刻技术的核心是？
A.电子束
B.等离子体
C.激光
D.X射线
3.以下哪项不是半导体制造的关键材料？
A.硅
B.氮化硅
C.金
D.氧化铝
4.半导体制造中，蚀刻技术的目的是？
A.增加材料厚度
B.刻蚀特定图案
C.晶体生长
D.材料掺杂
5.以下哪项不是半导体制造中的主要工艺？
A.光刻
B.蚀刻
C.晶体生长
D.热处理
6.半导体制造中，原子层沉积（ALD）技术的优势是？
A.高温快速
B.高均匀性
C.低成本
D.大面积适用
7.以下哪项不是半导体制造中的设备？
A.光刻机
B.蚀刻机
C.晶圆检测仪
D.等离子体刻蚀机
8.半导体制造中，薄膜沉积技术的目的是？
A.刻蚀材料
B.增加材料厚度
C.晶体生长
D.材料掺杂
9.以下哪项不是半导体制造中的主要材料？
A.硅
B.氮化硅
C.金
D.氧化铝
10.半导体制造中，掺杂技术的目的是？
A.增加材料厚度
B.改变材料电学性质
C.刻蚀特定图案
D.材料沉积
11.以下哪项不是半导体制造中的主要工艺？
A.光刻
B.蚀刻
C.晶体生长
D.热处理
12.半导体制造中，原子层沉积（ALD）技术的优势是？
A.高温快速
B.高均匀性
C.低成本
D.大面积适用
13.以下哪项不是半导体制造中的设备？
A.光刻机
B.蚀刻机
C.晶圆检测仪
D.等离子体刻蚀机
14.半导体制造中，薄膜沉积技术的目的是？
A.刻蚀材料
B.增加材料厚度
C.晶体生长
D.材料掺杂
15.以下哪项不是半导体制造中的主要材料？
A.硅
B.氮化硅
C.金
D.氧化铝
16.半导体制造中，掺杂技术的目的是？
A.增加材料厚度
B.改变材料电学性质
C.刻蚀特定图案
D.材料沉积
17.以下哪项不是半导体制造中的主要工艺？
A.光刻
B.蚀刻
C.晶体生长
D.热处理
18.半导体制造中，原子层沉积（ALD）技术的优势是？
A.高温快速
B.高均匀性
C.低成本
D.大面积适用
19.以下哪项不是半导体制造中的设备？
A.光刻机
B.蚀刻机
C.晶圆检测仪
D.等离子体刻蚀机
20.半导体制造中，薄膜沉积技术的目的是？
A.刻蚀材料
B.增加材料厚度
C.晶体生长
D.材料掺杂
21.以下哪项不是半导体制造中的主要材料？
A.硅
B.氮化硅
C.金
D.氧化铝
22.半导体制造中，掺杂技术的目的是？
A.增加材料厚度
B.改变材料电学性质
C.刻蚀特定图案
D.材料沉积
23.以下哪项不是半导体制造中的主要工艺？
A.光刻
B.蚀刻
C.晶体生长
D.热处理
24.半导体制造中，原子层沉积（ALD）技术的优势是？
A.高温快速
B.高均匀性
C.低成本
D.大面积适用
25.以下哪项不是半导体制造中的设备？
A.光刻机
B.蚀刻机
C.晶圆检测仪
D.等离子体刻蚀机
26.半导体制造中，薄膜沉积技术的目的是？
A.刻蚀材料
B.增加材料厚度
C.晶体生长
D.材料掺杂
27.以下哪项不是半导体制造中的主要材料？
A.硅
B.氮化硅
C.金
D.氧化铝
28.半导体制造中，掺杂技术的目的是？
A.增加材料厚度
B.改变材料电学性质
C.刻蚀特定图案
D.材料沉积
29.以下哪项不是半导体制造中的主要工艺？
A.光刻
B.蚀刻
C.晶体生长
D.热处理
30.半导体制造中，原子层沉积（ALD）技术的优势是？
A.高温快速
B.高均匀性
C.低成本
D.大面积适用
二、多项选择题（每题2分，共20题）
1.半导体制造中的主要工艺包括？
A.光刻
B.蚀刻
C.晶体生长
D.热处理
2.以下哪些是半导体制造中的主要材料？
A.硅
B.氮化硅
C.金
D.氧化铝
3.半导体制造中的设备包括？
A.光刻机
B.蚀刻机
C.晶圆检测仪
D.等离子体刻蚀机
4.以下哪些是半导体制造中的薄膜沉积技术？
A.化学气相沉积（CVD）
B.物理气相沉积（PVD）
C.原子层沉积（ALD）
D.溅射沉积
5.半导体制造中的掺杂技术包括？
A.离子注入
B.扩散
C.氧化
D.掺杂
6.以下哪些是半导体制造中的主要工艺？
A.光刻
B.蚀刻
C.晶体生长
D.热处理
7.半导体制造中的原子层沉积（ALD）技术的优势包括？
A.高温快速
B.高均匀性
C.低成本
D.大面积适用
8.以下哪些是半导体制造中的设备？
A.光刻机
B.蚀刻机
C.晶圆检测仪
D.等离子体刻蚀机
9.半导体制造中的薄膜沉积技术的目的是？
A.刻蚀材料
B.增加材料厚度
C.晶体生长
D.材料掺杂
10.以下哪些是半导体制造中的主要材料
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