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探究GaN材料掺杂特性及其对LED器件droop效应的影响

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今科技飞速发展的时代，半导体材料作为现代电子产业的基石，其性能的优劣直接影响着各类电子器件的性能与应用范围。氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料的杰出代表，凭借其一系列优异的物理性质，在发光二极管（LED）领域展现出了巨大的应用潜力，成为了该领域研究的焦点。

GaN具有宽禁带、高电子迁移率、高击穿电场强度和良好的热稳定性等突出特点。这些特性使得GaN基LED在照明、显示、汽车、通信等众多领域具有广阔的应用前景。在照明领域，GaN基LED以其高效节能、长寿命、环保等优势，逐渐取代传