材料物理第十章.pptVIP

却速度下很难形成玻璃。另外，熔体的粘滞系数越大，越容易形成非晶态固体。除以上（1）（2）之外，还可以从相图的角度等因素考虑非晶态形成能力。10.4.3玻璃化转变图10.18是熔体冷却过程中体积随温度的变化关系曲线，从图中可以看出结晶和玻璃化过程的差异。前者在凝固时体积有一跃变（正好相反于晶体熔化时的体积变化）；而后者的体积变化则是连续的，但在体积连续变化过程中在温度Tg*第61页，共105页，星期日，2025年，2月5日处斜率产生了明显的转折，这一转折称为玻璃化转变，对应于过冷熔体转变为玻璃态。*第62页，共105页，星期日，2025年，2月5日如前所述，晶体在结构上是有序的，原子停留在晶格格点位置附近，具有定域性。而熔体具有流动性，在结构上是无序的，原子是非定域的。原子的定域性是固体的特征。玻璃化转变对应于熔体原子非定域性的丧失，原子被冻结在无序结构中，这就是玻璃化转变的实质，即结构无序的熔体变成了结构无序的固体。这个过程和结晶过程是不同的。从熔体结晶过程，存在两种类型的转变：结构无序向结构有序的转变和原子非定域化的向定域化的转变，这两种转变是耦合在*第63页，共105页，星期日，2025年，2月5日一起同时实现的。而在玻璃化转变过程中，这两种转变却脱耦了，只实现了原子非定域化向定域化的转变，而结构无序却仍然存在。10.5非晶态半导体非晶态半导体是非晶态物理中最活跃的领域之一。非晶态半导体的理论研究是目前理论物理研究的前沿之一，是无序系统理论的重要组成部分，既可对一些物理现象作出描述和解释，也对如何认识固体理论中许多基本问题有着重要的影响。非晶态半导体的应用也是十分广泛的，如太阳能电池、复印材料、存储器件等方面。*第64页，共105页，星期日，2025年，2月5日非晶态半导体大体可以分为三类：（1）以共价键相连接的半导体（2）半导体氧化物玻璃（3）介电材料，等。晶态半导体的电子理论是能带理论。能带理论是单电子近似理论，它在晶态半导体上取得了很大成功。对于非晶态半导体，能带模型目前仍是其主要理论模型，非晶态半导体的能带模型也是单电子近似理论。由于非晶态半导体不存在周期性，因而电子的运动呈现出一些新的特点。为*第65页，共105页，星期日，2025年，2月5日此，本节就非晶态半导体的电子态、能带模型和电导率作简要的介绍。10.5.1非晶态半导体的电子态经过大量的实验研究，获得了丰富的有关能态密度的信息。如：（1）不含H的α-Si，即早期用气相沉积方法制备的非晶硅，不能通过掺杂改变其电阻特性。纯的α-Si对掺杂不敏感，表明它的费米能级不能通过掺杂而移动，谓之费米能级被钉扎的现象。*第66页，共105页，星期日，2025年，2月5日（2）费米能级被钉扎，表明费米能级附近态密度很高，因而存在较高的带隙态密度。通过掺杂引入载流子，其费米能级几乎没有移动位置。（3）当α-Si中掺入H之后，带隙态密度大大下降，意味着α-Si：H可以通过掺杂而改变其电导率。注意：这里材料名称中分号“：”的意义。如果没有分号，例如ZnSCu，则表示三种元素组成*第67页，共105页，星期日，2025年，2月5日三个元素的存在决定这种材料的结构。有分号时，决定该材料的结构的是分号前的元素，分号后的元素只是添加到这种结构中，并不改变其结构。（4）α-Si：H的价带、导带与对应的晶体Si的价带及导带情况十分相似。（5）硫属非晶态半导体，对红外光是透明的，表示它存在一定宽度的禁带，但同样存在费米能级被钉扎的现象。*第68页，共105页，星期日，2025年，2月5日以上仅仅是一些基本的有关态密度的实验事实。为了解释以上现象，人们提出许多关于电子态的结构模型。下面采用与晶态半导体电子理论类比的方法，简要叙述非晶态半导体电子态的主要特点。10.5.1.1非晶态半导体的能态密度函数在晶态半导体中电子态的能量本征值分成一系列的能带，而最重要的是导带和价带，导带和价带之间存在着禁带。在能带中电子能级是非常密集的，形成准连续分布。为了概括这种情况下*第69页，共105页，星期日，2025年，2月5日的能级分布情况，引入能态密度函数N（E），其定义为：式中：ΔZ—能量值在E～（E+ΔE）之间的状态数。非晶态半导体的能带模型，由于也是单电子近似，所以能态密度函数的概念仍然存在。也就是说，对于非晶态