高温大电流环境下4H-SiC肖特基结势垒二极管的研制与特性解析.docx

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2025-11-16 发布于上海
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高温大电流环境下4H-SiC肖特基结势垒二极管的研制与特性解析

一、引言

1.1研究背景与意义

随着现代电子技术的飞速发展，电子器件在各种复杂环境下的应用日益广泛，对其性能和可靠性提出了更高要求。高温、大电流环境在电力电子、航空航天、汽车电子、石油勘探等众多领域中普遍存在，传统的硅基半导体器件由于其材料特性的限制，在这样的极端条件下难以满足高效、稳定运行的需求。例如，在电力电子系统中，随着功率密度的不断提高，器件的发热问题愈发严重，工作温度急剧上升；而在航空航天领域，飞行器发动机附近的电子设备需要在高温、高振动的恶劣环境下持续稳定工作，这些都对电子器件的高温、大电流性能提出了严峻挑战。