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2025年大学《大功率半导体科学与工程-半导体制造工艺》考试备考题库及答案解析

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一、选择题

1.半导体制造工艺中，用于去除晶圆表面杂质的关键步骤是（）

A.热氧化

B.离子注入

C.光刻

D.化学机械抛光

答案：D

解析：化学机械抛光（CMP）是去除晶圆表面杂质和调整厚度的重要工艺，能够有效平整表面并去除污染物。热氧化主要形成绝缘层，离子注入用于掺杂，光刻用于图案化，这些工艺不直接以去除表面杂质为主要目的。

2.在半导体器件制造中，下列哪项工艺属于低温工艺（）

A.硅外延生长

B.离子束刻蚀

C.快速热退火

D.等离子体增强化学气相沉积

答案：C

解析：快速热退火（RTA）通常在几百摄氏度的温度下进行，属于低温工艺。硅外延生长、等离子体增强化学气相沉积（PECVD）通常需要较高的温度。离子束刻蚀在室温或低温下进行，但主要目的是刻蚀，而非材料沉积或处理。

3.半导体制造中，用于提高晶体管迁移率的关键技术是（）

A.扩散工艺

B.薄膜沉积

C.掺杂技术

D.光刻技术

答案：C

解析：掺杂技术通过引入杂质原子改变半导体的导电性能，适量掺杂可以显著提高载流子浓度和迁移率。扩散工艺主要用于形成特定浓度的掺杂区域，薄膜沉积和光刻是辅助工艺，不直接决定迁移率。

4.晶圆表面缺陷检测中，下列哪项方法属于光学检测技术（）

A.扫描电子显微镜

B.原子力显微镜

C.超声波检测

D.光学显微镜

答案：D

解析：光学显微镜利用可见光照射晶圆表面，通过观察反射光成像，适用于检测较大的表面缺陷。扫描电子显微镜和原子力显微镜属于微观形貌检测技术，超声波检测属于无损检测技术。

5.半导体器件制造中，用于形成金属互连层的工艺是（）

A.热氧化

B.化学气相沉积

C.湿法刻蚀

D.电镀

答案：B

解析：化学气相沉积（CVD）可以沉积均匀的金属或绝缘薄膜，是形成互连层的关键工艺。热氧化用于形成二氧化硅绝缘层，湿法刻蚀用于去除特定材料，电镀是互连层形成后的金属化工艺，但CVD是初始沉积步骤。

6.半导体制造中，下列哪项工艺会导致晶圆表面产生应力（）

A.外延生长

B.热氧化

C.离子注入

D.化学机械抛光

答案：C

解析：离子注入过程中，高能离子轰击晶圆表面，会在材料内部产生非平衡原子，形成晶体缺陷和应力。外延生长和热氧化通常在平衡条件下进行，应力较小。化学机械抛光主要去除应力。

7.在半导体器件制造中，用于去除光刻胶残留物的工艺是（）

A.热清洗

B.湿法刻蚀

C.干法刻蚀

D.超声波清洗

答案：B

解析：湿法刻蚀利用化学溶液去除不需要的残留物，特别是光刻胶。热清洗和超声波清洗是辅助去除手段，干法刻蚀主要用于材料去除，不适用于去除光刻胶。

8.半导体制造中，用于提高薄膜均匀性的关键技术是（）

A.涂覆工艺

B.等离子体处理

C.气体流量控制

D.热处理

答案：C

解析：气体流量控制通过精确调节反应气体流量，可以显著提高薄膜沉积的均匀性。涂覆工艺和等离子体处理是沉积方法，热处理是后处理步骤，对均匀性影响较小。

9.晶圆表面颗粒检测中，下列哪项技术属于电容检测技术（）

A.光学显微镜

B.扫描电子显微镜

C.电容探针

D.超声波检测

答案：C

解析：电容探针通过测量晶圆表面与探针之间的电容变化来检测颗粒，属于电容检测技术。光学显微镜和扫描电子显微镜是光学检测技术，超声波检测属于无损检测技术。

10.半导体制造中，用于改善界面质量的关键步骤是（）

A.热氧化

B.离子束刻蚀

C.界面净化

D.化学气相沉积

答案：C

解析：界面净化通过去除界面处的污染物和缺陷，可以显著改善界面质量，对器件性能有重要影响。热氧化和化学气相沉积是材料沉积工艺，离子束刻蚀是去除材料，不直接改善界面质量。

11.半导体制造中，用于形成器件隔离结构的关键工艺是（）

A.热氧化

B.扩散

C.光刻

D.湿法刻蚀

答案：D

解析：湿法刻蚀用于去除特定区域的材料，形成器件的隔离结构，如隔离槽。热氧化形成绝缘层，扩散形成掺杂区域，光刻是图案化步骤，湿法刻蚀是实现隔离结构的最终精加工步骤。

12.在半导体器件制造中，下列哪项工艺属于高温工艺（）

A.离子束刻蚀

B.化学气相沉积

C.等离子体增强化学气相沉积

D.热氧化

答案：D

解析：热氧化工艺需要在高温炉中进行，通常温度达到1000摄氏度以上，属于高温工艺。离子束刻蚀、化学气相沉积和等离子体增强化学气相沉积可以在较低温度下进行。

13.半导体制造中，用于提高器件可靠性的关键技术是（）

A.薄膜沉积

B.掺杂技术

C.缺陷控制

D