二维SnSe_In₂Se₃层状异质结的制备工艺与光电性能调控研究.docxVIP

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2025-11-16 发布于上海
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二维SnSe_In₂Se₃层状异质结的制备工艺与光电性能调控研究.docx

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二维SnSe/In?Se?层状异质结的制备工艺与光电性能调控研究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着科技的飞速发展，半导体材料在现代电子学领域中扮演着至关重要的角色。二维半导体材料由于其独特的原子结构和电子特性，展现出了与传统三维材料截然不同的物理性质，如高载流子迁移率、强量子限域效应和优异的光学性能等，在电子器件、光电器件、能源存储与转换等领域具有巨大的应用潜力，成为了材料科学和凝聚态物理领域的研究热点。

硒化锡（SnSe）是一种典型的二维层状P型半导体材料，具有正交晶系结构。其晶体结构由Sn-Se层通过范德华力相互作用堆叠而成，这种独特的层状结构赋予了SnSe许多优异