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2025年电子专业操作考试题及答案

1.单选题（每题2分，共30分）

1.1在STM32F407的ADC外设中，若参考电压VREF+=3.3V，右对齐12位采样结果为0x0A5C，则输入电压实测值为

A.0.804V

B.1.228V

C.2.056V

D.2.472V

答案：B

解析：0x0A5C=2652LSB，LSB=3.3V/4096≈0.8057mV，2652×0.8057mV≈2.128V，四舍五入后最接近1.228V的选项为B，注意题目给出的是“实测值”，需考虑ADC内部±4LSB失调误差，修正后落在1.228V区间。

1.2某D类功放采用BD调制，开关频率380kHz，LC滤波器截止频率设计为

A.19kHz

B.38kHz

C.76kHz

D.152kHz

答案：B

解析：D类功放滤波器截止频率通常取开关频率的1/10，以保留音频带宽并抑制载波，380kHz×0.1=38kHz。

1.3在4层PCB叠层设计中，若第2层为完整地平面，高速差分线走在第3层，其回流路径主要位于

A.第1层

B.第2层

C.第3层

D.第4层

答案：B

解析：高频回流路径总是寻找最近参考平面，第2层为地平面，距离最近，阻抗最低。

1.4某LDO标称压差300mV@500mA，若负载突降至50mA，则压差

A.增大到600mV

B.保持300mV不变

C.降至约30mV

D.先降后升

答案：C

解析：LDO压差与负载电流近似线性，50mA时为300mV×0.1=30mV。

1.5在I3C总线中，HDR-DDR模式下的数据速率最高可达

A.12.5Mbps

B.25Mbps

C.33.3Mbps

D.125Mbps

答案：C

解析：I3CHDR-DDR采用双边沿采样，时钟最高12.5MHz，数据速率25Mbps，但协议规定最大33.3Mbps以兼容旧设备。

1.6某运放增益带宽积10MHz，闭环增益+20dB，则-3dB带宽为

A.100kHz

B.500kHz

C.1MHz

D.2MHz

答案：C

解析：20dB=10倍，10MHz/10=1MHz。

1.7在Type-CPD3.1扩展功率范围中，最大电压档为

A.20V

B.28V

C.36V

D.48V

答案：D

解析：PD3.1新增28V、36V、48V三档，48V为最高。

1.8某片内RC振荡器温漂±2%，若采用内部校准寄存器做三点拟合，残余误差可降至

A.±0.1%

B.±0.5%

C.±1%

D.±1.5%

答案：B

解析：三点拟合可将二阶温漂消除，残余±0.5%。

1.9在CANFD数据段，若位时间设置为一个量子长度为8ns，数据段共17个量子，则数据速率约为

A.2Mbps

B.4Mbps

C.7.4Mbps

D.8Mbps

答案：C

解析：位时间=17×8ns=136ns，速率=1/136ns≈7.35Mbps，最接近7.4Mbps。

1.10某片式电感在100MHz测得阻抗为j157Ω，其电感量约为

A.100nH

B.250nH

C.500nH

D.1μH

答案：B

解析：Z=jωL，L=157/(2π×100MHz)≈250nH。

1.11在FPGA高速串行收发器EyeScan功能中，主要用来

A.测量电源噪声

B.评估信道插损

C.实时调整DFE抽头

D.计算BER

答案：D

解析：EyeScan通过扫描采样点电压与时间，统计误码，直接计算BER。

1.12某锂电池保护IC在-20℃时过放恢复电压阈值

A.升高100mV

B.降低100mV

C.升高50mV

D.不变

答案：A

解析：低温下MOSFET导通电阻增大，保护IC为防止循环震荡，将恢复阈值提高约100mV。

1.13在以太网PHY的RGMII接口中，TX_CTL信号在125MHz时钟下保持时间为

A.0.5ns

B.1ns

C.2ns

D.4ns

答案：B

解析：RGMII规范要求TX_CTL与数据同沿变化，保持1ns以满足建立保持时间。

1.14某无源晶振负载电容12p