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2025届鹏芯微校园招聘火热进行中笔试参考题库附带答案详解.docx

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    2025届鹏芯微校园招聘火热进行中笔试参考题库附带答案详解

    一、单项选择题（每题2分，共30分）

    1.在CMOS反相器中，若PMOS与NMOS的宽长比相同，电源电压VDD=1.2V，阈值电压|Vthp|=Vthn=0.3V，则其静态功耗主要来源于

    A.亚阈值漏电流

    B.栅氧隧穿电流

    C.反向偏置PN结漏电流

    D.动态切换电流

    答案：A

    详解：当输入处于中间电平时，PMOS与NMOS同时导通，出现直流通路，但静态功耗更主要源于亚阈值漏电流，尤其在先进工艺下亚阈值斜率退化，漏电流呈指数增长。

    2.某14nmFinFET工艺下，栅长Lg=20nm，Fin

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