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2025年大学《电子科学与技术-微电子器件》考试备考题库及答案解析

单位所属部门：________姓名：________考场号：________考生号：________

一、选择题

1.在硅材料中，形成N型半导体主要是通过掺入（）

A.硼元素

B.砷元素

C.铝元素

D.铟元素

答案：B

解析：硅原子最外层有4个电子，形成N型半导体需要掺入5价元素，提供多余电子。砷元素是5价元素，掺入硅晶格后，其5个价电子中有4个与硅原子形成共价键，多余1个电子成为自由电子，使材料呈现N型导电特性。硼、铝、铟元素为3价元素，形成P型半导体。

2.半导体二极管正向导通时的正向压降，在硅材料中通常约为（）

A.0.1V

B.0.5V

C.0.7V

D.1.0V

答案：C

解析：硅二极管在正向偏置时，当外加电压超过其开启电压（约0.5-0.7V），PN结内电场被削弱，多数载流子大量注入对方区域，形成较大的扩散电流。通常情况下，硅二极管的正向压降在正向电流较大时稳定在0.7V左右。锗二极管正向压降较低，约0.1-0.3V。

3.MOSFET器件的栅极通过（）实现对其导电沟道的控制

A.电流

B.电压

C.电容

D.电阻

答案：B

解析：MOSFET是金属氧化物半导体场效应晶体管，其基本工作原理是利用栅极电压控制绝缘层中的电场，形成或消除断裂的导电沟道。当栅极电压达到一定阈值时，会在半导体表面感应出反型层（导电沟道），使源极和漏极之间形成导通通路。因此，MOSFET是电压控制器件。

4.双极结型晶体管（BJT）工作在放大区时，其发射结和集电结的偏置状态通常是（）

A.发射结反偏，集电结反偏

B.发射结正偏，集电结正偏

C.发射结正偏，集电结反偏

D.发射结反偏，集电结正偏

答案：C

解析：BJT要实现放大作用，必须保证发射区向基区注入载流子，这要求发射结处于正向偏置。同时，要使从发射区注入的载流子在集电结电场作用下能被有效收集，集电结必须反向偏置。这种发射结正偏、集电结反偏的工作状态称为放大偏置。

5.下列哪种材料是常用的半导体衬底材料（）

A.金

B.铜

C.硅

D.铝

答案：C

解析：硅是目前最主流的半导体衬底材料，具有适中的禁带宽度、良好的晶体结构完整性、成熟的加工工艺和相对低廉的成本。金、铜、铝等金属虽然导电性好，但禁带宽度太大或太小，无法有效参与半导体器件的能带结构，且易形成金属化层干扰器件工作。

6.在CMOS反相器电路中，当输入高电平时，其工作在（）

A.PMOS导通，NMOS截止

B.PMOS截止，NMOS导通

C.PMOS和NMOS均导通

D.PMOS和NMOS均截止

答案：B

解析：CMOS反相器由一个PMOS和一个NMOS并联而成，两者栅极连接在一起作为输入端。当输入高电平时，NMOS栅极电压高于其阈值电压而导通，PMOS栅极电压低于其阈值电压而截止。此时，电路输出低电平。

7.半导体器件的阈值电压（Vth）通常定义为（）

A.器件开始导通的最小栅极电压

B.器件完全截止的最大栅极电压

C.器件输出阻抗最小的栅极电压

D.器件功耗最低的栅极电压

答案：A

解析：阈值电压是MOSFET器件开始形成导电沟道所需的临界栅极电压。对于增强型NMOS管，当栅源电压VGS大于阈值电压Vth时，器件开始导通；对于PMOS管，则要求VGS小于-Vth。阈值电压是决定器件开关特性的关键参数。

8.光电二极管的工作原理是基于（）

A.半导体PN结的整流效应

B.半导体的光电效应

C.半导体的热电效应

D.半导体的压电效应

答案：B

解析：光电二极管是利用半导体PN结的光电效应工作的器件。当光子照射到PN结附近时，其能量足以激发电子跃迁至导带，产生电子-空穴对。在PN结内建电场作用下，这些载流子被分离并形成光电流。光电二极管通常工作在反向偏置状态，以增大结电场，提高光电流灵敏度。

9.LSI和VLSI分别代表（）

A.大规模集成电路和超大规模集成电路

B.小规模集成电路和大规模集成电路

C.超大规模集成电路和小规模集成电路

D.超大规模集成电路和特大规模集成电路

答案：A

解析：LSI（Large-ScaleIntegration）表示大规模集成电路，每平方毫米可集成1000-100万个晶体管。VLSI（Very-Large-ScaleIntegration）表示超大规模集成电路，每平方毫米可集成100万-10亿个晶体管。随着技术发展，目前已有ULSI（Ultra-Large-ScaleIntegration）表示特大规模集成电路。

10.MOSFET器件的短沟道效应主要表现为（）

A.阈值电压随沟道长度减小而增大

B.阈值电压随沟道