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2025年大学《电气工程及其自动化-电力电子技术》考试备考试题及答案解析
单位所属部门:________姓名:________考场号:________考生号:________
一、选择题
1.电力电子器件中,属于电压控制型器件的是()
A.晶闸管
B.MOSFET
C.二极管
D.双向晶闸管
答案:B
解析:MOSFET是金属氧化物半导体场效应晶体管,属于电压控制型器件,通过栅极电压控制漏极电流。晶闸管和双向晶闸管属于电流控制型器件,需要门极触发信号。二极管是电流控制型器件,两端施加正向电压时导通。
2.在单相半波可控整流电路中,若输入交流电压有效值不变,晶闸管导通角增大,则输出直流电压()
A.增大
B.减小
C.不变
D.无法确定
答案:A
解析:单相半波可控整流电路输出直流电压平均值与导通角成正比关系。晶闸管导通角越大,导电时间越长,输出直流电压平均值越高。
3.某全控整流电路采用三相桥式连接,输入交流电压有效值为380V,若要求输出直流电压为220V,则控制角α的余弦值约为()
A.0.5
B.0.866
C.0.707
D.1
答案:B
解析:三相桥式全控整流电路输出直流电压平均值表达式为Ud=2.34×U2×(1+cosα)/π。当Ud=220V,U2=380V时,代入计算可得cosα≈0.866。
4.在直流斩波电路中,控制方式主要有()
A.电压模式控制
B.电流模式控制
C.矢量控制
D.以上都是
答案:D
解析:直流斩波电路常用的控制方式包括电压模式控制、电流模式控制和矢量控制等。电压模式控制通过控制输出电压实现调节,电流模式控制通过控制输出电流实现调节,矢量控制则同时控制电压和电流的动态响应。
5.IGBT模块的导通损耗主要取决于()
A.驱动电路参数
B.集电极电流
C.栅极电压
D.结温
答案:B
解析:IGBT模块的导通损耗主要由集电极电流流过开关管内阻时产生的损耗决定。集电极电流越大,导通损耗越高。驱动电路参数、栅极电压和结温都会影响导通损耗,但不是主要因素。
6.在PWM控制整流电路中,若保持输入交流电压有效值不变,增大占空比,则输出直流电压()
A.增大
B.减小
C.不变
D.无法确定
答案:C
解析:PWM控制整流电路通过控制开关管导通时间与周期的比值(占空比)来调节输出直流电压。在输入交流电压有效值不变的情况下,占空比变化不会改变输出直流电压的平均值。
7.某逆变电路采用SPWM调制方式,基波频率为50Hz,载波频率为2000Hz,则每周期内包含的载波周期数为()
A.40
B.50
C.100
D.200
答案:A
解析:SPWM调制方式下,每周期内包含的载波周期数等于载波频率与基波频率的比值。当载波频率为2000Hz,基波频率为50Hz时,每周期内包含的载波周期数为2000/50=40。
8.在整流电路中,滤波电路的主要作用是()
A.提高输入电压
B.降低输出电压纹波
C.增大输出电流
D.增强电路抗干扰能力
答案:B
解析:整流电路输出含有较大纹波的直流电压,滤波电路通过电容、电感等元件的储能特性,平滑输出电压波形,降低电压纹波。提高输入电压、增大输出电流和增强抗干扰能力不是滤波电路的主要作用。
9.某全桥逆变电路采用SPWM调制,若调制比m=0.8,则输出电压基波分量的幅值是额定电压的()
A.0.8倍
B.0.6倍
C.0.4倍
D.1倍
答案:A
解析:全桥逆变电路输出电压基波分量的幅值与调制比成正比关系。当调制比m=0.8时,输出电压基波分量的幅值是额定电压的0.8倍。
10.在变频器中,整流环节的主要作用是()
A.提高输出频率
B.降低输出功率
C.将交流电转换为直流电
D.增大输出电压
答案:C
解析:变频器整流环节通过整流电路将输入交流电转换为直流电,为逆变环节提供直流电源。提高输出频率、降低输出功率和增大输出电压都不是整流环节的主要作用。
11.电力电子器件中,属于电流控制型器件的是()
A.MOSFET
B.IGBT
C.GTO
D.BJT
答案:D
解析:BJT是双极结型晶体管,属于电流控制型器件,通过基极电流控制集电极电流。MOSFET、IGBT和GTO都属于电压控制型器件,通过门极电压控制主电路电流。
12.在单相桥式不可控整流电路中,若输入交流电压有效值减小,则输出直流电压()
A.增大
B.减小
C.不变
D.无法确定
答案:B
解析:单相桥式不可控整流电路输出直流电压平均值与输入交流电压有效值成正比。输入交流电压有效值减小,输出直流电压平均值也相应减小。
13.某单相全波整流滤波电路采用电容滤波,若输入交流电压有效值不变,负载电
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