2025年大学《电子科学与技术-集成电路原理》考试参考题库及答案解析.docxVIP

2025年大学《电子科学与技术-集成电路原理》考试参考题库及答案解析

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一、选择题

1.集成电路中，PN结的基本功能是（）

A.整流

B.放大

C.开关

D.滤波

答案：C

解析：PN结是构成各种半导体器件的基础，其基本功能是呈现单向导电性，用作开关。整流、放大和滤波功能是由包含PN结的更复杂电路结构实现的。

2.双极结型晶体管（BJT）工作在放大区时，下列说法正确的是（）

A.发射结反偏，集电结反偏

B.发射结正偏，集电结正偏

C.发射结正偏，集电结反偏

D.发射结反偏，集电结正偏

答案：C

解析：BJT在放大区工作时，为了使多数载流子能够顺利从发射区注入基区并到达集电区，发射结必须正向偏置，而集电结必须反向偏置。

3.MOSFET的输出特性曲线中，描述饱和区的曲线段是（）

A.曲线上升段

B.曲线近似水平段

C.曲线下降段

D.曲线垂直段

答案：B

解析：在MOSFET的输出特性曲线中，当漏源电压大于开启电压且栅源电压足够高时，器件进入饱和区。此时，漏极电流基本不随漏源电压的变化而变化，曲线呈现近似水平的特征。

4.集成电路制造过程中，光刻工艺的主要作用是（）

A.形成导电路径

B.抑制器件掺杂

C.刻蚀晶体硅

D.形成器件隔离

答案：A

解析：光刻工艺是利用光刻胶和光刻机，将设计好的电路图形转移到硅片上，从而形成各种器件和电路的导电路径、电极等。

5.CMOS反相器的静态功耗主要来源于（）

A.晶体管的导通电阻

B.晶体管的开关时间

C.两个互补MOS管的静态漏电流

D.电源电压的波动

答案：C

解析：CMOS反相器的静态功耗主要是由两个互补MOS管在静态状态下（一个导通，一个截止）的漏电流引起的。虽然漏电流很小，但在大规模集成时也会积累成可观的功耗。

6.数字集成电路中，CMOS技术相较于BJT技术的主要优势是（）

A.制造工艺简单

B.功耗更低

C.开关速度更快

D.输出阻抗更大

答案：B

解析：CMOS技术的主要优势是功耗低，因为其静态功耗主要由漏电流决定，而CMOS的漏电流远小于BJT。此外，CMOS还具有高输入阻抗、高噪声容限等优点。

7.半导体器件的阈值电压（Vth）主要受以下哪个因素影响？（）

A.晶体管尺寸

B.掺杂浓度

C.工作温度

D.以上都是

答案：D

解析：半导体器件的阈值电压是决定器件开启的关键参数，它受到晶体管尺寸（即沟道长度和宽度）、掺杂浓度（发射区和基区的浓度）以及工作温度等多种因素的影响。

8.集成电路中的寄生电容主要来源于（）

A.晶体管内部电容

B.器件之间的互电容

C.布线电容

D.以上都是

答案：D

解析：集成电路中的寄生电容包括晶体管内部的结电容和扩散电容、器件之间通过衬底或氧化层耦合的互电容，以及信号线与地线、电源线之间，以及信号线与信号线之间通过空气或基板耦合的布线电容。

9.低功耗设计技术在集成电路设计中的主要目的是（）

A.提高器件工作速度

B.增加集成度

C.延长电池寿命

D.降低散热成本

答案：C

解析：低功耗设计技术的主要目的是降低集成电路在工作时的能量消耗，从而延长便携式设备的电池寿命，减少散热需求，并降低系统成本。

10.集成电路测试中，功能测试的主要目的是（）

A.验证电路电气参数

B.检查电路逻辑功能

C.测量电路功耗

D.评估电路散热性能

答案：B

解析：功能测试是集成电路测试中的一个重要环节，其主要目的是验证电路是否按照设计要求实现了预期的逻辑功能，即检查电路的输出是否与输入在逻辑上符合真值表或状态表的规定。

11.在CMOS反相器中，当输入电压低于阈值电压时，下列说法正确的是（）

A.PMOS管导通，NMOS管截止

B.PMOS管截止，NMOS管导通

C.PMOS管和NMOS管都导通

D.PMOS管和NMOS管都截止

答案：A

解析：当输入电压低于CMOS反相器的阈值电压时，PMOS管因栅源电压差为正而导通，NMOS管因栅源电压差为零或负而截止。

12.MOSFET的跨导（gm）反映了器件的（）

A.输入电阻

B.输出电阻

C.放大能力

D.开关速度

答案：C

解析：跨导（gm）是描述MOSFET输出电流对输入电压变化敏感程度的参数，其值越大，表示器件的放大能力越强。

13.集成电路制造过程中，扩散工艺的主要目的是（）

A.形成导电路径

B.掺杂半导体材料

C.刻蚀晶体硅

D.形成器件隔离

答案：B

解析：扩散工艺是通过高温将特定杂质元素（如磷或硼）注入到半导体晶体中，从而改变特定区域的掺杂浓度，形成N型或P型半导体区，这是