2025年大学《微电子科学与工程-微电子器件原理》考试参考题库及答案解析.docxVIP

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2025-11-18 发布于河北
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2025年大学《微电子科学与工程-微电子器件原理》考试参考题库及答案解析.docx

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2025年大学《微电子科学与工程-微电子器件原理》考试参考题库及答案解析

单位所属部门：________姓名：________考场号：________考生号：________

一、选择题

1.半导体材料硅的禁带宽度大约为（）

A.0.67eV

B.1.12eV

C.1.1eV

D.1.42eV

答案：C

解析：硅作为典型的半导体材料，其禁带宽度为1.1eV，这是其最重要的物理特性之一，决定了其导电性能和适用范围。锗的禁带宽度约为0.67eV，而砷化镓约为1.42eV。

2.在N型半导体中，主要载流子是（）

A.电子

B.空穴

C.电子和空穴

D.自由电子

答案：A

解析：N型半导体是通过掺入五价杂质原子形成的，这些杂质原子提供多余的电子，使得电子成为主要载流子。虽然也存在空穴，但电子数量远多于空穴。

3.PN结加反向电压时，其空间电荷区（）

A.变窄

B.变宽

C.不变

D.消失

答案：B

解析：当PN结加反向电压时，外电场与内电场方向相同，导致空间电荷区（耗尽层）变宽。这是因为反向电压使得P区的空穴和N区的电子进一步远离PN结，增加了耗尽层的宽度。

4.晶体管的放大作用是指（）

A.电流控制电流

B.电压控制电压

C.电压控制电流

D.电流控制电压

答案：A

解析：晶体管（特别是双极结型晶体管BJT）的放大作用主要体现在电流控制电流。即通过基极的小电流可以控制集电极的大电流，实现电流放大。这是晶体管最基本和最重要的功能。

5.MOSFET的栅极电压低于开启电压时，其工作状态通常为（）

A.导通状态

B.关断状态

C.饱和状态

D.线性状态

答案：B

解析：对于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），当栅极电压低于开启电压（VGSVth）时，绝缘层（二氧化硅）中的电场不足以吸引足够的沟道电子（或空穴），因此漏极和源极之间几乎没有电流流过，晶体管处于关断状态。

6.MOSFET的输出特性曲线中，不同漏极电压下的曲线会（）

A.完全重合

B.随漏极电压增加而上升

C.随漏极电压增加而下降

D.随漏极电压增加而分离

答案：D

解析：MOSFET的输出特性曲线（ID-VDS曲线）描述了在不同栅极电压下，漏极电流ID随漏极电压VDS的变化关系。当栅极电压固定时，随着漏极电压的增加，漏极电流通常会增大，导致不同漏极电压下的曲线相互分离。曲线的形状和位置都受到栅极电压和漏极电压的共同影响。

7.双极结型晶体管（BJT）的电流放大系数β主要取决于（）

A.晶体管制造工艺

B.温度

C.基极电流大小

D.杂质浓度

答案：D

解析：双极结型晶体管的电流放大系数β（也称为hFE）表示基极电流对集电极电流的控制能力，即β=IC/IB。β的大小主要取决于晶体管内部的掺杂浓度、基区宽度等因素，其中杂质浓度（即掺杂浓度）是影响β的最关键因素之一。较高的掺杂浓度通常会导致更大的β值。

8.当温度升高时，二极管的正向压降通常会（）

A.增大

B.减小

C.不变

D.先增大后减小

答案：B

解析：二极管的正向压降（也称为开启电压或导通电压）对温度敏感。通常情况下，当温度升高时，半导体材料的载流子迁移率增加，使得电流更容易通过PN结。因此，在相同的正向电流下，二极管的正向压降会减小。这个特性在温度补偿电路中得到了应用。

9.MOSFET的阈值电压（Vth）主要受哪些因素影响？（）

A.栅极材料

B.衬底掺杂浓度

C.沟道长度

D.以上所有

答案：D

解析：MOSFET的阈值电压（Vth）是使晶体管从关断状态转换为导通状态所需的栅极电压。它是一个非常重要的参数，受到多种因素的影响。主要包括：栅极材料的介电常数、衬底（半导体）的掺杂浓度、栅氧化层的厚度、沟道长度和宽度等。因此，选项D“以上所有”都是影响阈值电压的因素。

10.对于BJT来说，当集电极电流IC达到饱和时，其基极电流IB应该是（）

A.零

B.很小

C.临界饱和值

D.最大值

答案：C

解析：双极结型晶体管（BJT）工作在饱和区时，集电极电流IC不再随集电极-发射极电压VCE的增加而显著增大，而是达到一个饱和值。要使BJT进入饱和状态，所需的基极电流IB必须大于使其工作在放大区的临界基极电流IBc。这个IBc通常被称为临界饱和电流。因此，当集电极电流IC达到饱和时，基极电流IB应该至少是临界饱和值IBc。如果IB小于IBc，晶体管将工作在放大区；如果IB远大于IBc，晶体管将工作在深饱和区，此时IC接近于β*IB，但仍然小于在放大区时的理论值。所以，IB应该是临界饱和值。

11.在室温下，纯净硅的载流子浓度大约为（）

A.1e5/cm3

B.1e10/cm3

C.1