钒掺杂半绝缘SiC的制备工艺与特性的深度剖析.docx

钒掺杂半绝缘SiC的制备工艺与特性的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

随着科技的飞速发展，半导体材料在现代电子技术中扮演着至关重要的角色。碳化硅（SiC）作为第三代宽带隙半导体材料的典型代表，凭借其禁带宽度大、热导率高、临界击穿场强高、电子饱和漂移速率高等一系列优异特性，在众多领域展现出了巨大的应用潜力。与前两代半导体材料（硅材料等）相比，SiC材料的禁带宽度更大，这使得其在击穿电场强度、饱和电子漂移速率、热导率以及抗辐射等关键参数方面具有显著优势。基于这些优良特性，SiC衬底在使用极限性能上优于硅衬底，能够满足高温、高压、高频、大功率等严苛条件下的应用需求。

在功率器件领域，