2025年大学《光电信息材料与器件-光电器件设计与制备》考试备考题库及答案解析.docxVIP

2025年大学《光电信息材料与器件-光电器件设计与制备》考试备考题库及答案解析

单位所属部门：________姓名：________考场号：________考生号：________

一、选择题

1.光电器件制备过程中，以下哪种材料通常用于形成器件的欧姆接触？（）

A.P型半导体

B.N型半导体

C.金属铝

D.绝缘材料

答案：C

解析：欧姆接触要求接触电阻小，金属铝具有良好的导电性和与半导体材料的结合能力，常用于形成欧姆接触。P型和N型半导体本身电阻较大，不适合用作欧姆接触层。绝缘材料则完全阻止电流通过，无法形成有效的欧姆接触。

2.在设计LED器件时，为了提高发光效率，通常会选择哪种半导体材料作为发光层？（）

A.直接带隙材料

B.间接带隙材料

C.金属半导体

D.超导材料

答案：A

解析：直接带隙材料具有较小的电子与空穴复合能量，复合过程更容易以辐射形式发生，因此发光效率高，适合用于LED发光层。间接带隙材料复合概率低，发光效率差。金属半导体和超导材料与LED发光原理无关。

3.光伏器件的I-V特性曲线中，开路电压与短路电流的关系是？（）

A.开路电压等于短路电流

B.开路电压大于短路电流

C.开路电压小于短路电流

D.开路电压与短路电流无关

答案：B

解析：根据光伏器件工作原理，在标准光照条件下，开路电压约等于半导体带隙能量的电压降，而短路电流则取决于光照强度和器件的光电转换效率。由于半导体带隙能量远大于单位电荷，因此开路电压通常大于短路电流。

4.制备薄膜太阳能电池时，哪种工艺方法可以用于在基底上均匀沉积半导体薄膜？（）

A.溅射沉积

B.光刻蚀

C.外延生长

D.CVD沉积

答案：A

解析：溅射沉积可以通过物理过程在基底上形成均匀的薄膜，适用于多种半导体材料。光刻蚀是图案化工艺，外延生长通常用于单晶薄膜制备，CVD沉积虽然也能沉积薄膜，但在均匀性上不如溅射沉积。标准工艺中常采用溅射沉积制备薄膜太阳能电池。

5.光电探测器的工作原理是基于以下哪种物理效应？（）

A.光的干涉

B.光的衍射

C.光电效应

D.光的偏振

答案：C

解析：光电探测器的工作原理是利用光电效应，当光照射到半导体材料上时，会产生电子-空穴对，从而改变器件的电阻或电流特性。光的干涉、衍射和偏振与光电探测原理无关。

6.设计光电探测器时，为了提高探测器的响应速度，应该？（）

A.增加探测器的尺寸

B.减小探测器的尺寸

C.提高探测器的暗电流

D.降低探测器的响应频率

答案：B

解析：减小探测器尺寸可以缩短电荷传输距离，从而提高响应速度。增加尺寸会延长电荷传输时间，提高暗电流不利于速度提升，响应频率与探测器设计参数无关。

7.在设计激光器谐振腔时，以下哪种参数对激光器的输出功率影响最大？（）

A.谐振腔长度

B.反射镜反射率

C.泉浦功率

D.激活介质增益

答案：B

解析：根据激光器输出功率公式，反射镜反射率对输出功率有决定性影响。谐振腔长度影响模式选择，泵浦功率和激活介质增益影响激光器阈值条件，但反射率直接决定输出功率大小。

8.制备光波导时，以下哪种材料通常用作波导的衬底材料？（）

A.高折射率玻璃

B.低折射率塑料

C.金属铝

D.硅橡胶

答案：A

解析：光波导需要高折射率衬底材料形成折射率阶梯，使光在波导中限制传播。标准制备中常用高折射率玻璃作为衬底，低折射率材料用于形成波导芯层，金属和硅橡胶与光波导原理无关。

9.设计光纤通信系统时，为了减少信号衰减，应该？（）

A.增加光纤芯径

B.使用多模光纤

C.减小光纤芯径

D.提高光纤包层折射率

答案：C

解析：减小光纤芯径可以降低模式色散和弯曲损耗，从而减少信号衰减。增加芯径会增大色散，多模光纤衰减通常大于单模光纤，提高包层折射率会降低纤芯与包层的折射率差，不利于光波导。

10.光电器件的制备过程中，以下哪种工艺可以用于在半导体表面形成微纳结构？（）

A.光刻

B.气相沉积

C.外延生长

D.溅射沉积

答案：A

解析：光刻工艺可以通过光敏材料曝光和显影在半导体表面形成微纳结构图案，是标准微电子加工技术。气相沉积、外延生长和溅射沉积主要用于形成连续薄膜，不适用于图案化结构制备。

11.光电器件的PN结正向偏置时，以下哪项描述是正确的？（）

A.PN结势垒升高，多数载流子扩散受阻

B.PN结势垒降低，多数载流子扩散增强

C.PN结势垒升高，少数载流子漂移增强

D.PN结势垒降低，少数载流子漂移增强

答案：B

解析：PN结正向偏置时，外部电压使P区电位高于N区，PN结耗尽层变窄，势垒降低。这有利于多数载流子（P区空穴和N区电子）克服势垒，向对方区域扩散，形成较大的正向电流。少数载流子漂移在正向偏置