探秘纳米稀磁半导体：自旋调控的结构密码与机制解析.docx

探秘纳米稀磁半导体：自旋调控的结构密码与机制解析

一、绪论

1.1研究背景与意义

随着信息技术的飞速发展，传统信息技术正逐渐逼近物理极限，面临着诸多瓶颈。在集成电路中，当晶体管尺寸不断缩小接近纳米尺度时，量子效应开始凸显，如电子的隧穿效应等，这使得传统半导体器件的性能难以进一步提升，同时，随着晶体管集成度的不断提高，芯片的功耗和散热问题也变得愈发严峻，成为限制器件性能提升的重要因素。因此，迫切需要寻找新的技术和材料来突破这些瓶颈，推动信息技术的持续发展。

自旋电子学作为一门新兴的交叉学科，应运而生并迅速发展起来。它致力于研究电子的自旋属性及其在固体器件中的应用，旨在同时利用电子的电荷和自旋