第7章有源微波电路.pptVIP

由双平衡混频器的电路结构和工作原理可以看出这种混频器具有以下优点：1）能消除本振噪声，这是平衡混频器固有的优点；2）工作频带很宽，可达几个倍频程。其理由在于：用巴伦取代了定向耦合器，巴伦有很宽的工作频带；二极管电桥本身是信号、本振、中频和直流的通路，不需要另外设计与工作频带有关的中频接地线和高频旁路线；3）隔离度好，由于四个二极管管芯制造在同一个芯片上，使得四个二极管的特性一致性好，只要巴伦制造对称，信号、本振、中频之间的隔离度可达20dB～30dB；4）谐波干扰少，由于电路和管芯的结构对称，信号和本振的全部偶次谐波分量均被抵消；5）动态范围大，因为输入信号功率由四个二极管分担，总输入信号功率上限可比单端混频器大4倍，故动态范围也比单端混频器大4倍。第29页，共83页，星期日，2025年，2月5日7.2微波场效应晶体管放大器第30页，共83页，星期日，2025年，2月5日用于微波晶体管放大器的微波晶体管从结构与机理上可分为两大类，一类是双极晶体管（BipolarJunctionTransistor，BJT），另一类是场效应晶体管（FieldEffectTransistor，FET）。双极晶体管BJT采用硅（Si）材料制成，适用于较低频段。在场效应晶体管中，用于较低频率的是金属氧化物场效应管（MetalOxideSemiconductorFET，MOSFET），用于大功率放大器件。金属半导体场效应管（MetalSemiconductorFET，MESFET），它采用GaAs制成，用于微波波段的小信号放大器和功率放大器。高电子迁移率场效应晶体管（HighElectronMobilityTransistor，HEMT）用GaAs和AlGaAs材料制成，用作微波波段的低噪声放大器。第31页，共83页，星期日，2025年，2月5日7.2.1微波场效应晶体三极管

一．金属半导体晶体场效应三极管的结构、等效电路及工作原理MESFET结构示意图及符号第32页，共83页，星期日，2025年，2月5日1.结构

上图（左）是金属半导体场效应晶体三极管结构示意图，其制造工艺大致是：用半绝缘材料GaAs作衬底，在它上面生长出非常薄的N型外延层（称为有源层沟道）；在N型外延层上做三个电极，这就是源极（用S表示）、栅极（用G表示）和漏极（用D表示），其中源极、漏极与N型外延层之间为欧姆接触，而栅极下方形成耗尽层、使栅极与N型外延层之间为肖特基势垒结。上图（右）是场效应管在电路中的表示符号。2．等效电路（详见书）注：等效电路各参量取决于MESFET的材料和物理尺寸。3．工作原理场效应晶体三极管的工作方式是通过改变栅源之间的电压VGS来改变栅极肖特基势垒的宽度，进而改变漏极电流IDS和电压VDS的大小。一般栅源之间加负偏压，即栅极电压为负，源极电压为正；漏源之间加正偏压，即漏极电压为正，源极电压为负。第33页，共83页，星期日，2025年，2月5日场效应晶体三极管特性曲线如右图：我们称使为IDS零的VGS为夹断电压VP。VDS不能无限增加，有一个极限值成为击穿电压。由右图可知，只要VGS有很小的变化，都会使IDS有较大的变化，用较小的栅极交流信号电压来控制较大的漏源电流，这就是场效应晶体三极管功率放大的基本原理。为了提高金属半导体场效应晶体三极管的工作频率，需要缩短栅长（即减小沟道耗尽层长度）来减小载流子的渡越时间。当栅长缩短到大约1μm时，将会出现短沟道效应，使工作频率升高受到限制（短沟道效应的分析详见书）。二．高电子迁移率场效应晶体三极管（HEMT）的结构及工作原理第34页，共83页，星期日，2025年，2月5日由于短沟道效应限制了金属半导体场效应管工作频率的提高，因而需要有新的工作频率更高的场效应晶体三极管。高电子迁移率场效应晶体三极管利用了异质结（不同半导体材料构成的结）的特殊性能来突破GaAsFET的频率上限。下图是HEMT的结构原理图。最下部是厚约0.2mm的GaAs半绝缘衬底，在衬底上外延出一层厚约150（1＝0.1nm）的GaAs作为沟道，沟道上部是掺杂N型n-AlGaAs层。不掺杂的GaAs和N型n-AlGaAs构成异质结。在两层半导体之间还增加很薄的一层不掺杂的AlGaAs（厚度约30）作隔离层（图中虚线处）。为了使源极和漏极引出端有良好的电接触，在源极S和漏极D与N型n-AlGaAs之间分别增加了N型重掺杂n+GaAs。第35页，共83页，星期日，2025年，2月5日工作原理：HEMT的偏置与MESFE