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硅掺杂对铟镓氮体材料晶体质量与光学性质影响的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

随着现代科技的飞速发展，半导体材料在光电器件领域的应用愈发广泛，其性能的优劣直接影响着器件的功能与效率。铟镓氮（InGaN）体材料作为一种重要的三元化合物半导体，凭借其独特的性质，在光电子领域展现出巨大的应用潜力。

InGaN体材料是由氮化镓（GaN）和氮化铟（InN）组成的固溶体，其分子式为In?Ga???N。由于InN的禁带宽度约为0.7电子伏，GaN的禁带宽度为3.4电子伏，通过精确调节In组分，InGaN的禁带宽度能够在0.7-3.4电子伏之间实现连续变化。这一特