探秘单个半导体纳米晶多激子：从基础到应用的深度剖析.docx

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2025-11-19 发布于上海
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探秘单个半导体纳米晶多激子：从基础到应用的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

半导体纳米晶，作为一种尺寸处于纳米量级（1-100纳米）的半导体材料，由于量子限域效应展现出与体相材料截然不同的物理化学性质。当半导体纳米晶的尺寸与其激子的玻尔半径相近时，载流子（电子、空穴）的运动受限，动能增加，使得连续的能带结构转变为准分立的类分子能级，有效带隙增大，吸收光谱和荧光光谱发生蓝移，这就是量子限域效应的体现。这种独特的效应赋予半导体纳米晶一系列优异特性，如发光性质可通过尺寸调控，不同粒径的纳米晶在室温下能呈现不同颜色，且发射光谱窄而对称，荧光量子效率较高。同时，其载流子迁移率也较高，化