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化学气相沉积原理与设备复习题试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（请将正确选项的字母填入括号内）

1.化学气相沉积（CVD）的核心过程通常不包括以下哪一项？

A.气相物质在基片表面的吸附

B.表面化学反应生成固态薄膜

C.液态物质在基片表面的扩散

D.源物质从气相到表面的传输

2.下列哪种方法不属于化学气相沉积（CVD）的范畴？

A.低压力化学气相沉积（LPCVD）

B.增强等离子体化学气相沉积（PECVD）

C.电子束物理气相沉积（PVD）

D.化学气相外延（CVD-e）

3.在典型的热化学气相沉积中，提供化学反应所需能量最主要的方式是？

A.光照

B.电场激发

C.电磁感应

D.热能（基片或气体）

4.对于需要在较低温度下沉积薄膜的材料，通常优先考虑哪种CVD技术？

A.等离子体增强化学气相沉积（PECVD）

B.低压力化学气相沉积（LPCVD）

C.升华气相沉积（SublimationVapourDeposition）

D.高温化学气相沉积（HPCVD）

5.在CVD设备中，用于将反应腔体内部抽至高真空或低压环境的系统是？

A.气体输送系统

B.加热系统

C.真空系统

D.温度控制系统

6.LPCVD通常在接近大气压的低压下进行，其主要优点之一是？

A.沉积速率极高

B.能有效抑制横向生长

C.设备结构简单，成本低

D.可在极低温下沉积

7.MOCVD（金属有机化学气相沉积）技术通常使用哪种前驱体？

A.碱金属卤化物

B.卤化硅烷

C.金属有机化合物

D.碳酸氢盐

8.在CVD反应腔体中，放置基片并承受高温和化学反应侵蚀的部件通常是？

A.加热器

B.真空泵

C.衬底台（或舟）

D.冷却水管

9.影响CVD薄膜沉积速率的最主要因素通常是？

A.沉积腔体的体积

B.基片的材料类型

C.前驱体气体的分压

D.尾气处理系统的效率

10.在PECVD设备中，产生等离子体的主要方式是？

A.电阻加热

B.光照激发

C.电场放电（如辉光放电、微波放电）

D.电磁感应加热

11.CVD设备中的温度控制系统对于精确控制薄膜的哪些性质至关重要？

A.沉积速率和均匀性

B.成分和晶相结构

C.附着性和应力

D.以上都是

12.下列哪种设备部件主要用于测量反应腔体内部气体的压力？

A.流量计

B.压力传感器

C.温度计

D.光谱仪

13.将CVD设备产生的含有反应物和副产物的尾气进行净化处理的主要目的是？

A.提高沉积速率

B.节约能源

C.环境保护与操作安全

D.提高薄膜纯度

14.在某些CVD工艺中，通入惰性气体（如氦气、氩气）的主要作用可能包括？

A.提供反应活性物种

B.稀释反应气体，降低反应温度

C.提高设备真空度

D.帮助排出尾气

15.影响CVD薄膜结晶质量的关键因素之一是？

A.前驱体蒸气压

B.沉积速率

C.腔体压力

D.以上都是

二、填空题（请将正确答案填入横线上）

1.化学气相沉积（CVD）是指利用______在加热的基片表面发生化学反应，最终沉积成固态薄膜的工艺。

2.PECVD是______增强化学气相沉积的英文缩写。

3.LPCVD通常在低压（如______乇）和较低温度下进行。

4.CVD设备中的反应腔体通常由______、石英等耐高温、耐腐蚀材料制造。

5.根据加热方式的不同，CVD设备可分为电阻加热式、______、微波加热式等。

6.用于精确测量和控制气体流量的关键部件是______。

7.在薄膜沉积过程中，为了获得良好的附着力，基片温度需要根据材料特性进行______。

8.PVD（物理气相沉积）与CVD的主要区别在于沉积过程中是否涉及______。

9.MOCVD常用于沉积______材料，其前驱体通常具有较低的蒸气压。

10.CVD薄膜的成分可以通过调节______和______来实现精确控制。

三、简答题（请简明扼要地回答下列问题）

1.简述化学