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集成电路CMOS题库试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（请将正确选项的字母填入括号内）

1.在室温下，增强型NMOSFET工作时，其栅极与源极之间的电压（VGS）必须（）其阈值电压（Vth）才能使晶体管导通。

A.小于

B.等于

C.大于

D.小于或等于

2.CMOS反相器中，当输入电压为低电平（VIL）时，理想情况下流过晶体管的静态电流为多少？

A.较大的漏电流

B.等于电源电压VDD

C.零

D.等于输入电压VIL

3.动态功耗主要是由以下哪个因素引起的？

A.漏极电流

B.栅极氧化层电容

C.晶体管阈值电压

D.电路版图寄生电容

4.在CMOS电路中，提高晶体管的宽长比（W/L）通常会（）。

A.增加静态功耗

B.降低开关速度

C.提高开关速度，降低动态功耗

D.降低开关速度，增加动态功耗

5.对于CMOS反相器，其输出高电平（VOH）通常接近于（）。

A.地电位（0V）

B.电源电压（VDD）

C.VDD/2

D.Vth

6.当CMOS逻辑门输入高电平且输出低电平时，下列哪个晶体管处于导通状态？

A.输入PMOS管

B.输入NMOS管

C.输出PMOS管

D.输出NMOS管

7.噪声容限是指电路能抵抗多大噪声干扰而仍能正常工作的能力，通常用（）来衡量。

A.输出电压摆幅

B.电源电压VDD

C.输入电压范围（VIH,VIL）

D.输出高电平VOH和输出低电平VOL

8.体效应是指（）。

A.温度对MOSFET参数的影响

B.MOSFET的栅极氧化层厚度变化

C.由于源极和漏极电位差导致沟道有效厚度变化，进而影响阈值电压

D.晶体管尺寸缩小带来的参数变化

9.三态输出门的三种状态是（）。

A.高电平、低电平、高阻态

B.高电平、低电平、电源电压

C.高电平、低电平、零电压

D.高阻态、开路、短路

10.CMOS电路相比其他逻辑家族（如TTL），其主要优点是（）。

A.速度更快

B.功耗更低（静态功耗）

C.输出电流更大

D.抗干扰能力更强

二、填空题

1.MOSFET根据其导电沟道的类型，可以分为______和______两种基本类型。

2.CMOS反相器的静态功耗理论上为零，因为其两个互补的MOSFET永远不会同时导通。

3.动态功耗主要发生在CMOS电路的______过程中，与输入信号的______、电路中电容的______以及电源电压的______的平方成正比。

4.衡量逻辑门输入端对噪声抑制能力的参数是______，衡量输出端对噪声抑制能力的参数是______。

5.阈值电压（Vth）是NMOSFET开始导通时所需的______电压，它受______、______和______等因素影响。

6.在CMOS电路设计中，为了提高速度通常需要减小晶体管的______比（W/L），但这可能会增加______功耗。

7.传输门是一种由一个NMOS和一个PMOS并联组成的电路，其主要特点是具有很高的______和很低的______。

8.CMOS电路的电源抑制比（PSRR）是指电路输出电压变化对输入______变化的抑制能力。

9.晶体管的跨导（gm）表示其______对栅源电压（VGS）的敏感程度，单位通常是______。

10.在设计CMOS电路时，需要考虑晶体管的______效应和______效应，这些效应会随着技术节点的缩小而变得更加显著。

三、计算题

1.已知一个增强型NMOSFET的参数如下：Vth=0.4V，μnCox=100μA/V2，W/L=10，L=1μm，沟道长度调制系数λ=0.02/V。假设该晶体管工作在饱和区，源极电压VS=0V，漏极电压VD=2.5V，栅极电压VG=1.5V。请计算：

a.漏极电流ID。

b.晶体管的输出电阻rds。

2.分析一个由两个并联NMOS管和两个串联PMOS管组成的CMOS与非门。假设每个MOS管的W/L=5，Vth=0.5V，μnCox=80μA/V2，λ=0.01/V。电路连接到VDD=3V。当输入A=1V，B=0V时