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PERC-SE-单晶电池工艺-培训资料课件

作者：一诺文档编码：iu1JbTjq-Chinasx3gCD43-China8dTpOdPL-China

PERC-SE单晶电池基础概述

●PERC-SE电池的定义与技术特点

单晶硅电池技术发展历程与PERC-SE的定位

性、是昌效单晶电地技术实用

高鹰力单属电池技迭代

代向下一代技术过的查要

传统BSF电池受限于全铝背场的低少子寿命和前表面非选择性发射极，光致衰减率普遍超%,而PERC-SE电池通过降低硼掺杂浓度减少硼氧对形成，配合SE工艺优化钝化质量，

LID率可控制在%以内，同时显著抑制光热诱导衰减，年功率输出保持幸较常规PERC提升

●PERC-SE电池与传统BSF和常规PERC电池的性能对比

因子可达%-%,较BSF电池提

临电压升mv光电流度

该电池采用先进表面钝化工艺，大幅降

低了金属电极与硅片的接触电阻，同时结合低衰减技术，确保组件首年衰减率低于%,年功率输出保障率达%,广泛应用于工商业屋顶分布式光伏，兼顾高收益与长期稳定性。

ERC-SE电池通过优化钝化层与选择

性发射极结构，显著提升了长波光谱响应和载流子收集效率，光电转换效率较传统PERC电池提高-个百分点，尤其适用于对单位面积发电量要求高的地面集中式光伏电站，有效降低度

PERC-SE电池具备优异的高温性能和

弱光响应特性，温度系数较常规电池低%/℃,在高温环境下发电损失更小,同时弱光条件下发电增益可达%-%,适合沙漠和高原等特殊气候区域光伏电站及农业光伏复合项目，提升环境适应性。

PERC-SE单晶电池核心工艺流

程

清洗工艺是PERC-SE单晶电池制备的基础环节，通过RCA湿法清洗和兆声波辅助等方法去除硅片表面的有机物和金属离子及颗粒污染物，确保表面无残留和无氧化层，为后续制绒提供洁净无污染的基底，避免杂质影响电池性能。

制绒工艺利用单晶硅的各向异性腐蚀特性，通过碱液处理在硅表面形成均匀的金字塔状绒面结构，显著降低表面反射率至%以下，增强光的陷光效应，提升长波段光吸收效率，是提高电池短路电流的关键步骤。

损伤修复工艺针对硅片切割和搬运过程中产生的表面微裂纹和晶格缺陷等损伤层，采用酸性腐蚀或高温退火方法去除损伤层并修复晶格结构，恢复硅片表面完整性，减少少数载流子复合，提升电池开路电压和转换效率。

激光开槽采用纳秒或皮秒激光器，通过

控制激光能量和脉宽和频率，在背面钝化层上精确刻蚀出深度-μm和宽度-μm的沟槽，实现钝化层的局部选择性去除,为后续金属化电极形成提供接触窗口,同时避免硅片过度损伤。

面钝化层沉积通过PECVD或ALD技术

,在单晶硅片背面沉积AIO/SiNx叠层钝化膜，有效钝化表面缺陷态，降低少数载流子复合率，同时利用负固定电荷抑制背面复合，为电池效率提升奠定基础，可转换效率增益约%-%。

背面钝化层与激光开槽的协同工艺，

先通过高钝化质量薄膜降低背面复合,再经激光开槽形成局部欧姆接触，在钝化与接触间取得平衡，既维持了背面钝化效果，又降低了串联电阻，显著提升PERC-SE电池的开路电压和填充因子，优化整体电学性能。

扩散是PERC-SE单晶电池形成PN

结的核心工艺，通过管式扩散炉采用三氯氧磷作为掺杂源，在高温下分解磷原子并向硅片表层注入，精确控制结深和方块电阻，确保PN结特性与PERC结构及选择性发射极工艺的高效匹配，为后续光生载流子分离奠定基础。

扩散是PERC-SE单晶电池形成PN

结的核心工艺，通过管式扩散炉采用三氯氧磷作为掺杂源，在高温下分解磷原子并向硅片表层注入，精确控制结深和方块电阻，确保PN结特性与PERC结构及选择性发射极工艺的高效匹配，为后续光生载流子分离奠定基础。

扩散是PERC-SE单晶电池形成PN

结的核心工艺，通过管式扩散炉采用三氯氧磷作为掺杂源，在高温下分解磷原子并向硅片表层注入，精确控制结深和方块电阻，确保PN结特性与PERC结构及选择性发射极工艺的高效匹配，为后续光生载流子分离奠定基础。

磷扩散与掺杂工艺控制

缘刻蚀是PERC-SE单晶电池工艺中消除边缘漏电的关键步骤，通过碱性或酸性刻蚀液选择性去除电池边缘PN结区域，确保电流有效收集，同时需严格控制刻蚀深