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2025年大学《微电子科学与工程-半导体制造工艺》考试备考题库及答案解析

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一、选择题

1.半导体制造工艺中，用于去除晶圆表面杂质的关键步骤是（）

A.光刻

B.扩散

C.湿法清洗

D.干法刻蚀

答案：C

解析：湿法清洗利用化学溶液去除晶圆表面的自然氧化层、金属离子和其他杂质，是半导体制造中去除表面污染物的重要步骤。光刻是图案转移，扩散是掺杂，干法刻蚀是形成特定形状，这些步骤不主要针对表面杂质的去除。

2.在半导体器件制造中，以下哪种材料通常用作掩膜层？（）

A.多晶硅

B.氮化硅

C.氧化硅

D.硅

答案：B

解析：氮化硅具有良好的成膜性和刻蚀选择性，常被用作光刻工艺中的掩膜层，保护下层敏感材料不被刻蚀。

3.半导体器件的电学性能与其中的杂质浓度密切相关，以下哪种工艺主要用来增加半导体材料的导电性？（）

A.氧化

B.掺杂

C.外延生长

D.热氧化

答案：B

解析：掺杂是通过引入微量杂质原子改变半导体的导电类型和浓度，从而调整器件的电学特性。氧化和热氧化主要是形成绝缘层。

4.半导体制造过程中，以下哪个步骤通常在高温下进行？（）

A.光刻

B.腐蚀

C.CVD成膜

D.清洗

答案：C

解析：化学气相沉积（CVD）是一种在高温下进行的薄膜沉积技术，通过气态前驱体在基板上化学反应生成固态薄膜。

5.在半导体器件制造中，用于隔离不同功能区域的工艺是（）

A.扩散

B.刻蚀

C.氧化

D.外延

答案：B

解析：刻蚀技术可以在晶圆表面精确地去除部分材料，形成隔离层或特定图案，用于隔离不同器件或功能区域。

6.半导体制造中，以下哪种设备主要用于沉积薄膜？（）

A.光刻机

B.干法刻蚀机

C.离子注入机

D.CVD设备

答案：D

解析：化学气相沉积（CVD）设备是用于在晶圆表面沉积各种薄膜（如氧化硅、氮化硅等）的关键设备。

7.半导体器件制造中，用于形成导电通路的关键步骤是（）

A.氧化

B.掺杂

C.光刻

D.刻蚀

答案：B

解析：掺杂可以改变半导体的导电性能，通过掺杂形成源极、漏极等导电区域，是形成导电通路的关键步骤。

8.在半导体制造工艺中，以下哪种材料通常用作绝缘层？（）

A.多晶硅

B.氮化硅

C.氧化硅

D.硅

答案：C

解析：氧化硅（二氧化硅）具有良好的绝缘性能和成膜性，是半导体器件中广泛使用的绝缘材料。

9.半导体制造过程中，以下哪个步骤涉及到使用光刻胶？（）

A.扩散

B.刻蚀

C.氧化

D.光刻

答案：D

解析：光刻工艺使用光刻胶作为掩膜，通过曝光和显影将图案转移到晶圆表面，是形成微小结构的关键步骤。

10.半导体器件制造中，以下哪种工艺主要用于改变半导体的能带结构？（）

A.氧化

B.掺杂

C.外延生长

D.热氧化

答案：B

解析：掺杂通过引入杂质能级改变半导体的能带结构，从而影响其导电性能和器件功能。氧化和外延生长主要改变材料的厚度和均匀性，热氧化形成绝缘层。

11.半导体制造中，以下哪种工艺属于低温工艺？（）

A.热氧化

B.CVD成膜

C.离子注入

D.扩散

答案：C

解析：离子注入是在较低温度下进行的，以避免注入离子的能量损失和晶格损伤。热氧化、CVD成膜和扩散都需要较高的温度。

12.在半导体器件制造中，用于形成器件隔离结的工艺是（）

A.氧化

B.掺杂

C.外延生长

D.刻蚀

答案：B

解析：掺杂工艺用于在半导体材料中形成PN结，这是实现器件隔离和功能的基础。氧化是绝缘层生长，外延生长是单晶生长，刻蚀是材料去除。

13.半导体制造过程中，以下哪种设备主要用于实现材料的物理气相沉积？（）

A.光刻机

B.干法刻蚀机

C.溅射机

D.离子注入机

答案：C

解析：溅射机通过物理过程将靶材材料溅射到基板上，形成薄膜，属于物理气相沉积（PVD）技术。光刻机用于图案转移，干法刻蚀用于材料去除，离子注入用于掺杂。

14.半导体器件制造中，以下哪种材料通常用作导电层？（）

A.氮化硅

B.氧化硅

C.多晶硅

D.单晶硅

答案：C

解析：多晶硅具有良好的导电性和成膜性，常被用作半导体器件中的栅极材料和互连线。氮化硅和氧化硅是绝缘层，单晶硅是半导体材料基体。

15.半导体制造过程中，以下哪个步骤涉及到使用化学溶液去除材料？（）

A.光刻

B.扩散

C.湿法刻蚀

D.CVD成膜

答案：C

解析：湿法刻蚀利用化学溶液与材料发生反应，选择性地去除部分区域，是半导体制造中重要的材料去除技术。光刻是图案转移，扩散是掺杂，CVD是薄膜沉积。

16.半导体器件制造中，以下哪种工艺主要用于改