半导体的资料CVD-Process-introdution.pptVIP

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2025-11-28 发布于贵州
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半导体的资料CVD-Process-introdution.ppt

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CVDProcessIntroduction

ContentWhatisCVDDCVDApplicationinICProcessCVDProcessLowKmaterials

WhatisDCVDDielectric-CVDisasynthesisprocessinwhichtheatomicconstituentsreactinthevaporphasenearoronaheatedsubstratetoformanonvolatileSolidDielectricFilm.Itshouldcombineseveralscientificandengineeringphilosophycomposedofthermodynamics,kinetics,plasmaphysicsandchemistry.Thermodynamics:A+B==C+DGΔ(Gibbsfreeenergy)=Gproduct–GreactantIfGΔ0==ThereactionisfeasibleT=1000K,R1isnotfeasiblebutR2isfeasibleReaction1,Itnotfeasibleat800K,butfeasibleat1400K

WhyDCVD1.Highpuritydepositioncanbeachieved.2.Agreatvarietyofchemicalcompositionscanbedeposited.3.Somefilmscannotbedepositedwithadequatefilmpropertiesbyanyothermethod.4.Goodeconomyandprocesscontrolarepossibleformanyfilms.

DCVDApplicationOxide(un-dopeddoped);Nitridearethetypicaldielectricfilm.OxynitfilmpropertyisnormallybetweenOxideandNitride.

DCVDApplicationPre-metalDielectric(PMD)Lowk,trapmobileironandlowthermalthermalbudgetarerequired.InterMetalDielectric(IMD)LowK,voidfreegapfill,somthsurfaceandlowprocesstemp.arerequiredFinalpassivationLowdep.Temp,highstrengthandmoistureisolationabilityarerequiredARCandHardmaskSTI

ShallowTrenchIsolation(STI)Application:Isolationregionbetweenactivearea,usedbeyond0.25um.Requiredproperties:ExcellentgapfillingabilityNoinducedleakagecurrentProcesstools:APCVDO3-TEOS(WJ)SACVDO3-TEOS(AMAT) SinceO3-TEOShastheabilitytoachieveexcellentstepcoverageandconformality,ledtogoodgapfillingability.HDPSiH4/O2DCVDApplication

InterLayerDielectric(ILDorPMD)Application:Insulatorlayerbetweengateandmetal-1Requiredproperties:USGPreventB,PofBPSGfilmfromdiffusingintoactiveareaWon’tdegradehotcarrierintegrationBPTEOSPlanarization(0.5um,nonCMPtechno