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《GB_T 41033-2021CMOS集成电路抗辐射加固设计要求》专题研究报告.pptx

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    《GB/T41033-2021CMOS集成电路抗辐射加固设计要求》专题研究报告

    目录太空与核环境下的“生存密码”:专家视角解析CMOS抗辐射加固的核心逻辑辐射损伤的“隐形杀手”:深度剖析单粒子效应与总剂量效应的作用机制及应对策略工艺选择的“关键抉择”:不同CMOS工艺抗辐射性能差异及最优方案匹配指南验证测试的“金标准”:如何构建符合标准的抗辐射性能评估体系与测试流程?标准与产业的“同频共振”:GB/T41033-2021如何引领我国航天电子产业升级?标准落地的“第一道关卡”:如何精准界定CMOS集成电路抗辐射加固的适用范围?设计源头的“安全锁”:从器件到

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