新型掺杂BaWO₄晶体的生长工艺与光谱特性研究.docxVIP

新型掺杂BaWO?晶体的生长工艺与光谱特性研究

一、掺杂BaWO?晶体的生长方法与工艺优化

（一）主流生长技术与装置

在掺杂BaWO?晶体的生长过程中，提拉法凭借其能够精确调控晶体尺寸与掺杂均匀性的优势，成为生长该晶体的主要技术。该方法基于中频感应加热系统，使用铂坩埚来熔融合成原料，这些原料包括BaCO?、WO?以及掺杂剂Yb?O?、K?CO?等。籽晶的选择对晶体生长有着重要影响，110晶向的籽晶能够有效降低热膨胀系数各向异性带来的影响。在生长过程中，精确控制提拉速度为2mm/h，旋转速率为18r/min，退火工艺设定为在1200℃下保温3h，通过这些精准的参数控制，成功实现了高质量的单晶生长。这种方法特别适用于稀土离子（如Yb3?、Er3?）及碱金属离子（如K?）的共掺体系，为后续对晶体性能的研究提供了优质的材料基础。

（二）关键影响因素与质量控制

组分过冷与位错抑制：在晶体生长过程中，组分过冷是一个需要重点关注的问题，它极易导致晶格缺陷的产生。为了减少这一问题的影响，研究人员通过优化熔体温度梯度，将其控制在10-15℃/cm的范围内，并对固液界面形态进行精细调控，结合籽晶定向技术，有效地减少了位错密度，使其被成功控制在300-900/mm2。位错蚀像分析结果表明，沿着110方向生长能够降低晶界应力，从而提升晶体的完整性。这一发现为提高晶体质量提供了重要的技术路径，确保了晶体在微观结构上的稳定性和均匀性。

开裂机制与热膨胀匹配：BaWO?晶体热膨胀系数的各向异性较为显著，轴向差异可达15%，这一特性使得晶体在冷却过程中极易出现开裂现象。为了解决这一难题，研究人员引入K?离子来调节晶格参数，以此降低热应力。同时，采用梯度降温退火工艺，经过实验验证，晶体的开裂率从最初的40%大幅降至10%以下。这一改进不仅提高了晶体的成品率，还为晶体在实际应用中的稳定性提供了保障，使得BaWO?晶体能够更好地满足各种光学和激光应用的需求。

（三）掺杂策略与晶格调控

稀土离子掺杂效应：当Yb3?、Er3?离子取代Ba2?格位时，由于离子半径存在较大差异（Yb3?:85.8pmvsBa2?:135pm），面临着分凝系数低的问题，约为0.2。在单掺Yb3?的情况下，晶体在977nm处的吸收系数仅为0.3cm?1。然而，通过共掺1mol%的K?，Yb3?的掺入量提升了30%，吸收系数也相应地增至0.494cm?1。这一结果表明，K?能够通过电荷补偿效应有效地改善掺杂效率，为提高晶体的光学性能提供了一种可行的掺杂策略。

晶格结构表征：通过X射线粉末衍射分析发现，掺杂后晶胞参数a、c的变化小于0.5%，这充分证实了稀土离子掺杂对BaWO?四方晶系（空间群I41/a）结构的影响非常微弱。结合密度测算和晶格参数的分析，进一步揭示了K?掺入后会导致晶格轻微收缩，这种收缩现象有利于促进Yb3?离子在晶格中的适配，从而在微观结构层面解释了掺杂对晶体性能影响的内在机制。

二、掺杂BaWO?晶体的光谱特征与机理分析

（一）吸收光谱与能级结构

偏振依赖吸收特性：在室温环境下，对Yb3?:BaWO?晶体在400-2000nm波长范围内的吸收光谱进行研究时，发现其呈现出明显的偏振吸收差异。当光的偏振方向平行于c轴时，得到的σ谱在930nm处有一个吸收峰，其半高宽为15nm；而当光的偏振方向垂直于c轴时，π谱在930nm处的吸收峰半高宽为12nm，这两个吸收峰均对应着Yb3?离子的2F?/?→2F?/?跃迁。进一步研究发现，当K?离子共掺时，吸收峰的强度有显著提升，相比未共掺时增强了20%。这种强度的提升主要归因于K?离子的掺入改变了晶格场的对称性，使得Yb3?离子与周围晶格的相互作用发生变化，从而导致2F?/?→2F?/?跃迁的概率增强，更多的光子被吸收，进而使吸收峰强度增加。

能级参数计算：基于Judd-Ofelt理论，通过对Yb3?:BaWO?晶体的吸收光谱进行精确拟合，得到了唯象强度参数Ω?=0.3926×10?2?cm2、Ω?=0.0721×10?2?cm2。这些参数反映了晶体场对Yb3?离子能级的影响程度。利用这些参数，结合相关理论公式，可以计算出Yb3?离子的自发辐射跃迁几率A=1.2×10?s?1，这一参数表示了Yb3?离子在激发态时自发跃迁回基态的速率。同时，还计算得出荧光寿命τ=0.41ms，荧光寿命是指荧光物质在激发态停留的平均时间。这些能级参数的精确计算，为后续激光能级的设计提供了关键依据，有助于优化激光晶体的性能，提高激光输出的效率和质