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金属与n型Ge接触特性及其在Si基Ge光电二极管中的应用探索

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今信息时代，随着大数据、云计算和人工智能等技术的飞速发展，对高速、大容量信息传输与处理的需求与日俱增。Si基光电集成作为实现这一目标的关键技术之一，受到了广泛的关注和深入的研究。硅基锗光电子材料与器件凭借其独特的优势，在Si基光电集成领域占据着重要的地位。

锗（Ge）材料具有诸多优异的特性，使其成为Si基光电集成中极具潜力的材料。首先，Ge的载流子迁移率比硅（Si）更高，这意味着在相同的电场条件下，Ge中的载流子能够更快地移动，从而提高器件的运行速度和响应性能。其次，在通信波段（1.3μm和1.55μm），Ge具有更高的吸收系数，这使得它在光探测和光发射等应用中表现出色，能够更有效地实现光信号与电信号的相互转换。此外，Ge与成熟的Si微电子工艺相兼容，这为将Ge基光电器件集成到现有的Si基集成电路中提供了便利，大大降低了生产成本和工艺难度，有利于大规模生产和应用。

然而，在Si基Ge器件的发展过程中，金属与n型Ge接触问题成为了制约其性能提升的关键因素之一。当金属与n型Ge接触时，会存在强烈的费米钉扎效应。这种效应导致在接触界面处形成高的势垒高度，阻碍了载流子的顺利传输，进而增加了接触电阻。高接触电阻不仅会消耗更多的能量，降低器件的效率，还会影响器件的响应速度和稳定性，限制了Si基Ge器件在高速、低功耗应用中的发展。例如，在Si基Ge光电二极管中，高接触电阻会导致暗电流增大，光电流减小，从而降低光电二极管的探测灵敏度和信噪比，影响其在光通信、光传感等领域的实际应用效果。

因此，深入研究金属与n型Ge接触特性，探索降低势垒高度和接触电阻的有效方法，对于提高Si基Ge器件的性能具有重要的意义。这不仅有助于推动Si基光电集成技术的发展，实现高速、大容量、低功耗的信息传输与处理，还能为相关领域的应用提供更优质的光电器件，促进光通信、光计算、光传感等产业的进步，具有广阔的应用前景和巨大的经济价值。

1.2国内外研究现状

国内外众多科研团队围绕金属与n型Ge接触特性及其在Si基Ge光电二极管中的应用展开了广泛而深入的研究，取得了一系列重要进展。

在金属与n型Ge接触特性方面，研究者们对不同金属与n型Ge接触的电学性能进行了大量实验研究。如文献[1]对比了分别采用金属Al和Ni与Si衬底上外延生长的p型Ge和n型Ge材料的接触特性，发现在相同的较高掺杂条件下，NiGe与n型Ge可形成良好的欧姆接触，其比接触电阻率较Al接触降低了一个数量级，掺P浓度为2×10^19cm^-3时达到1.43×10^-5cm^2。研究表明，不同金属的功函数、化学活性等因素会对接触势垒高度和接触电阻产生显著影响。同时，界面态的存在也是影响接触特性的重要因素，界面态密度的变化会改变载流子的传输机制，进而影响接触电阻和势垒高度。

为了改善金属与n型Ge的接触性能，研究者们提出了多种方法。一种常见的方法是在金属与n型Ge之间插入缓冲层或中间层。有学者研究发现，在金属与n型Ge之间插入薄的介电层，在一定程度上降低了肖特基势垒的高度，但同时也引入了介质电阻。另一种方法是采用锗化物的合金电极，并结合高掺杂或不同离子的共同掺杂技术。有实验表明，利用NiSnGe合金制作n型半导体锗源漏接触，在金属与n型锗接触之间引入应变元素Sn，降低了接触的势垒高度，使得在n型锗上能实现较低电阻率的接触。此外，优化退火工艺也是改善接触性能的重要手段，通过控制退火温度、时间和气氛等条件，可以促进金属与Ge之间的反应，形成更稳定、低电阻的接触界面。

在金属与n型Ge接触在Si基Ge光电二极管中的应用方面，研究主要集中在如何提高光电二极管的性能。有团队将优化后的金属与n型Ge接触应用于SOI基GePIN光电二极管，有效降低了器件的暗电流，提高了光电流响应，从而提升了光电二极管的探测灵敏度和信噪比。还有研究通过改进金属与n型Ge的接触工艺，改善了光电二极管的频率响应特性，使其能够满足高速光通信的需求。

然而，当前研究仍存在一些不足之处。虽然提出了多种改善接触性能的方法，但部分方法在实际应用中存在工艺复杂、成本较高或引入其他负面效应等问题。对于金属与n型Ge接触的微观机制，尤其是界面原子结构、电子态分布与接触电学性能之间的关系，尚未完全明确，仍需要进一步深入研究。此外，在Si基Ge光电二极管中，如何综合优化金属与