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自旋散射相关的物理效应研究国内外文献综述

目录

TOC\o1-3\h\u11889自旋散射相关的物理效应研究国内外文献综述 1

48331.1巨磁阻效应 1

51.2反常霍尔效应 2

6191.3自旋霍尔效应和逆自旋霍尔效应 3

46591.4自旋泵浦效应 5

1.1巨磁阻效应

1988年，M.N.Baibich等[1,2]在研究磁性和非磁性金属材料多层膜特性的过程中，发现电阻与铁磁层的磁矩取向关系显著，将该现象命名为GMR，并在2007年被授予诺贝尔奖。当不同铁磁层中的磁矩取向为反平行状态时，该多层材料的电阻最大。当不同铁磁层中的磁矩取向为平行状态时，多层材料的电阻最小。这种仅由于磁矩取向的变化导致异质结中电阻发生变化的现象被称为巨磁阻效应。铁磁层中的磁矩构型示意图如图1.1所示。

图1.1磁矩构型示意图[21]。

Fig.1.1Representationofmagneticmomentsconfiguration[21].

GMR通常可以分为两种类型[21]：(1)CIP-GMR(CurrentintheplaneGMR)；(2)CPP-GMR(CurrentperpendiculartotheplaneGMR)。

CIP-GMR：在CIP-GMR中，电流平行于层状异质结的平面。当不施加外磁场时，铁磁层中的磁矩并不同向排列。但是当施加强外磁场后，磁矩在强磁场的影响下转向同一方向，此时面内电阻发生改变。CIP-GMR由Grünberg和Fert[2]首次在Fe/Cr/Fe异质结中观测到，后来该效应又在Fe/Ag，Fe/Pd，Fe/Cu，Cu/Co以及Au/Co等更多材料中被发现。1989年，Camley和Barnas[22]给出了Fe/Cr系统中GMR的第一个经典模型，但他们的理论仅仅解释了界面处自旋相关的解释。随后，J.Barnas等[23]计算了块体材料的散射。Valet和Fert[24]利用玻尔兹曼输运方程给出了一个半经典模型。Levy等[25]利用Kubo线性响应定理给出了GMR的第一个量子模型。Zhang和Butler[26,27]给出了精确的量子方法与半经典方法之间的关系，应用单带紧束缚模型，研究了CIP-GMR与CPP-GMR的差异。

CPP-GMR：1991年，Zhang等人理论预测了CPP-GMR的存在，随后由W.P.Pratt等在相同的Ag/Co层中实验证实[28,29]。在该种构型中，电子垂直于磁性层运动。异质结的电阻在其厚度方向上通常很小，难于精确测量。该问题可以利用超导导线来校正。在非磁材料中形成的有限磁化是由于自旋积累造成的。CPP-GMR取决于自旋弛豫时间。自旋积累导致了探测界面处自旋向上和自旋向下载流子的密度不同，被定义为自旋向上和自旋向下载流子之间电化学势的不同。(μ↑-μ↓)∝exp(-l/ls)，其中，ls为自旋弛豫长度。

将GMR异质结中的非磁金属层替换为绝缘体或者半导体层，当施加外磁场时异质结的电阻发生改变的现象被定义为隧道磁阻(TMR)。隧道磁阻背后的理论可以理解为：平行排列的磁矩电导为GP=G↑↑+G↓↓,且正比于N↑LN↑R+N↓LN↓R。其中，N↑L(N↓L)是磁性材料左右区域的自旋向上（自旋向下）的载流子的态密度数。同理，反平行排列的电导为GAP=G↑↓+G↓↑。因此隧道磁阻可以通过下式计算：

（1.1）

如果磁性层材料相同，那么TMR=(2P2)/(1-2P)，P为自旋极化率。

Julliere[30]在4.2K的Co-Ge-Fe体系中观测到了14%的电阻变化，是历史上关于隧道磁阻的第一次报告。现如今，NiO,Al2O3和MgO也是熟知的隧道磁阻绝缘势垒材料。一些半金属铁磁体和新型的异质结如La2/3Sr1/3MnO3/SiTiO3/La2/3Sr1/3MnO3、Ru/Co2FeAl/MgO等也是研究隧道磁阻的首选材料，且半金属体系在4K的温度下能观测到1800%的隧道磁阻。

1.2反常霍尔效应

1879年，EdwinH.Hall[15]发现：当把通电导体置于磁场中时，可以在垂直于电流与磁场的方向上测到横向电压。这是由于电子在洛伦兹力的作用下会偏向导体一侧，该效应被命名为霍尔效应，如图1.2（a）所示。后来他又发现该效应在铁磁导体中是在非磁导体中的十倍大，这便是反常霍尔效应（图1.2（b））。由于本质与霍尔效应不同，自反常霍尔效应被发现以来，其中的机制一直备受争议。直到二十世纪八十年代贝里相位理论被提出后才有了突破性的进展[16]。