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模拟电路试题及详细解析题库

前言

模拟电路作为电子信息类专业的核心基础课程，其理论性与工程实践性紧密结合，对后续专业课程的学习及工程实践能力的培养至关重要。本题库旨在为学习者提供一套系统且具有代表性的模拟电路练习题，并辅以详尽的解析，帮助读者深化对基本概念、基本原理和基本分析方法的理解与应用。题库内容覆盖模拟电路的主要知识点，题型多样，解析力求深入浅出、条理清晰，希望能成为广大师生及电子工程爱好者的有益参考资料。

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第一章半导体器件基础

1.1选择题

题目1：在常温下，纯净硅半导体中自由电子和空穴的浓度关系为：

A.自由电子浓度远大于空穴浓度

B.空穴浓度远大于自由电子浓度

C.自由电子浓度等于空穴浓度

D.无法确定

答案：C

解析：纯净的半导体，即本征半导体，在热激发下，电子从价带跃迁到导带，形成自由电子，同时在价带留下空穴。电子和空穴是成对产生的，因此在本征半导体中，自由电子浓度与空穴浓度相等，均称为本征载流子浓度。故本题正确答案为C。

题目2：当PN结外加正向电压时，其空间电荷区将：

A.变宽

B.变窄

C.不变

D.无法确定

答案：B

解析：PN结外加正向电压，即P区接电源正极，N区接电源负极。此时，外电场与PN结内电场方向相反，削弱了内电场。内电场对多数载流子扩散运动的阻碍作用减小，使得多数载流子能够更容易地越过PN结，导致空间电荷区两侧的电荷量减少，因此空间电荷区变窄。故本题正确答案为B。

1.2分析计算题

题目3：有一NPN型三极管，在放大电路中测得各电极对地的电压分别为：V1=2.1V，V2=2.8V，V3=12V。试判断该三极管的三个电极（基极b、发射极e、集电极c）分别对应哪个电压，并说明其工作在哪个区域（截止区、放大区、饱和区）。

答案：电极1为发射极e，电极2为基极b，电极3为集电极c；三极管工作在放大区。

解析：对于NPN型三极管，要工作在放大区，必须满足发射结正偏，集电结反偏。即基极电位高于发射极电位（Ube0，硅管通常约为0.7V），集电极电位高于基极电位（Ucb0）。

分析所给电压：V2=2.8V，V1=2.1V，两者差值V2-V1=0.7V，符合硅三极管发射结正偏电压的典型值。因此，V2（2.8V）为基极b，V1（2.1V）为发射极e。剩下的V3=12V，远高于基极电压，满足集电结反偏的条件（对于NPN管，UcUb），故V3为集电极c。此时发射结正偏，集电结反偏，三极管工作在放大区。

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第二章基本放大电路

2.1填空题

题目4：共发射极放大电路的输出电压与输入电压相位__________，其__________放大倍数较高，__________放大倍数也较高，因此应用广泛。

答案：相反（或反相），电压，电流

解析：共发射极放大电路是三极管三种基本组态之一。由于其集电极输出特性，当基极电流增大时，集电极电流增大，集电极电阻上的压降增大，导致集电极（输出）电压下降，因此输出电压与输入电压相位相反。在三种组态中，共射电路的电压放大倍数和电流放大倍数都比较高，具有较强的功率放大能力，因此在各种放大电路中应用最为广泛。

2.2分析计算题

题目5：如图所示（*此处假设读者能想象一个典型的固定偏置共发射极放大电路，包含NPN三极管，基极偏置电阻RB，集电极负载电阻RC，电源VCC，输入信号耦合电容C1，输出信号耦合电容C2*）的固定偏置共发射极放大电路中，已知VCC=12V，RB=300kΩ，RC=3kΩ，三极管的β=50，UBE（on）=0.7V，忽略穿透电流ICEO。

（1）估算电路的静态工作点IBQ、ICQ、UCEQ；

（2）若RB不慎被短路，三极管可能会出现什么现象？

答案：

（1）IBQ≈37.7μA，ICQ≈1.88mA，UCEQ≈6.36V；

（2）三极管可能因电流过大、功耗过高而烧毁。

解析：

（1）静态工作点估算：

*基极静态电流IBQ：根据基极回路，VCC=IBQ*RB+UBE（on），则IBQ=(VCC-UBE（on）)/RB。代入数值，IBQ=(12V-0.7V)/300kΩ=11.3V/300kΩ≈0.0377mA=37.7μA。

*集电极静态电流ICQ：ICQ=β*IBQ=50*37.7μA≈1885μA=1.885mA，近似为1.88mA。

*集射极间静态电压UCEQ：根据集电极回路，VCC=ICQ*RC+UCEQ，则UCEQ=VCC-ICQ*RC。代入数值，UCEQ=12V-1.88mA*3kΩ=12V-5.6