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碳化硅基底上大面积石墨烯与纳米条带的制备技术与性能表征研究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的飞速发展，半导体材料在电子器件领域的重要性日益凸显。作为新型的二维材料，石墨烯以其优异的电学、热学和力学性能，成为半导体领域的研究热点之一。碳化硅（SiC）作为一种宽带隙半导体材料，具有高硬度、高化学稳定性和优秀的热传导性能，与石墨烯的结合展现出独特的物理性质，为半导体器件的发展带来了新的机遇。

在半导体领域，器件性能的提升一直是研究的核心目标。传统的硅基半导体材料在面对不断提高的性能要求时，逐渐接近其物理极限，难以满足未来电子器件对高速、高频、低功耗等方面的需求。而石墨烯具有载流子迁移