Si(100)衬底上氮化物外延及3D发光器件的研究与突破.docx

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2025-11-26 发布于上海
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Si(100)衬底上氮化物外延及3D发光器件的研究与突破

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体领域，材料的选择与创新始终是推动技术进步的核心要素。Si(100)衬底以其成熟的制备工艺、良好的电学性能以及与现有硅基集成电路工艺的兼容性，在半导体产业中占据着举足轻重的地位。而氮化物半导体，如氮化镓（GaN）、氮化铝（AlN）等，凭借其宽禁带、高击穿电场、高电子迁移率和良好的热稳定性等优异特性，成为短波长发光二极管、激光器、高频高功率电子器件等领域的关键材料。将氮化物外延生长在Si(100)衬底上，有望整合两者的优势，开辟出一条全新的技术路径，实现高性能半导体器件的制备，满足日益