高压大功率压接型IGBT器件并联芯片瞬态电流特性的深度剖析与优化策略.docxVIP

高压大功率压接型IGBT器件并联芯片瞬态电流特性的深度剖析与优化策略

一、引言

1.1研究背景与意义

随着电力电子技术的飞速发展，高压大功率压接型IGBT器件在现代电力系统中扮演着举足轻重的角色。从柔性直流输电到新能源发电，从轨道交通到工业自动化，这些器件凭借其高电压、大电流、低导通损耗等优势，成为实现高效电能转换与控制的关键。在柔性直流输电系统中，IGBT器件作为换流阀的核心部件，承担着交流电与直流电之间的快速、高效转换任务，极大地提升了输电效率，减少了输电损耗，增强了电网的稳定性和可控性。在新能源发电领域，无论是风力发电还是光伏发电，IGBT器件都发挥着关键作用，实现了电能的逆变、整流等功能，将不稳定的新能源电力转换为符合电网要求的电能，为新能源的并网接入提供了有力支持。在轨道交通领域，如电力机车、高铁等，IGBT器件作为牵引变流器的核心部件，精确控制着电机的启动、加速、减速和制动等运行状态，确保列车的安全、稳定运行。

为了满足不断增长的电力需求和提升系统性能，提高IGBT器件的电流等级成为必然趋势。多芯片并联技术作为实现这一目标的重要手段，被广泛应用于高压大功率IGBT器件中。然而，在实际运行过程中，并联芯片的瞬态电流特性存在明显的不均衡现象。这种不均衡会导致部分芯片承受过高的电流和功率损耗，进而引发结温升高、热应力增大等问题，严重影响器件的性能和可靠性，甚至可能导致器件提前失效，给电力系统的安全稳定运行带来巨大隐患。因此，深入研究高压大功率压接型IGBT器件并联芯片的瞬态电流特性，对于优化器件设计、提高其性能和可靠性具有至关重要的意义。

1.2国内外研究现状

国内外学者和研究机构围绕高压大功率压接型IGBT器件并联芯片瞬态电流特性展开了大量研究。在影响因素分析方面，已明确芯片参数差异性、封装寄生参数差异性、散热不均匀以及机械压力等因素对瞬态电流分布有显著影响。芯片参数的不一致，如阈值电压、通态压降和栅极内电阻的差异，会导致电流分配不均衡。封装寄生电感的不同，使得并联芯片所在回路的寄生电感不一致，进而造成芯片瞬态电流分布的较大差别。散热不均匀导致并联芯片结温不一致，而结温又会影响芯片的通态压降等参数，对于不同类型的芯片（如NPT型和PT型），这种影响表现出不同的特性。压接型IGBT器件还需考虑机械压力对并联芯片电流分布特性的影响。

在测量方法上，基于罗氏线圈的测量技术得到了广泛应用。崔翔教授课题组利用矢量磁位与静电场中电位的等效性，设计了集成于器件内部的新型方形PCBRogowski线圈，有效抑制了空间电磁干扰，实现了快速、准确、非侵入式的并联芯片电流测量，测量误差小于1%，为研究瞬态电流特性提供了可靠的数据支持。

在特性分析和优化策略方面，部分研究通过有限元软件提取压接型IGBT器件内部的杂散电感，分析其对电流分布的影响规律。有研究发现电流分布主要受到功率回路和驱动回路的公共支路上杂散电感的影响，发射极杂散电感差异主要影响开通过程的电流不均衡。也有研究针对杂散电感差异进行电路仿真，验证了理论分析的有效性，并通过建立两芯片的并联均流双脉冲实验平台，进一步验证了相关理论。

尽管取得了上述进展，当前研究仍存在一些不足。对于多物理量（如芯片参数、寄生参数、压力、温度等）同时作用下的多芯片开关瞬态电流分布一致性问题，尚未形成完善的理论体系和精确的分析方法。在实际应用中，器件的工作环境复杂多变，多种因素相互耦合，使得准确预测和控制瞬态电流分布变得极为困难。现有的测量技术在精度、带宽和抗干扰能力等方面仍有待进一步提高，以满足对瞬态电流快速变化过程的精确测量需求。部分测量方法可能会对器件的正常运行产生一定干扰，影响测量结果的准确性和可靠性。针对瞬态电流不均衡问题的优化策略，在实际应用中的有效性和可行性还需要进一步验证和完善，以确保其能够在各种工况下稳定地改善器件性能。

1.3研究内容与方法

本文主要研究内容包括以下几个方面：一是全面深入地分析影响高压大功率压接型IGBT器件并联芯片瞬态电流特性的各种因素，不仅考虑芯片参数差异性、封装寄生参数差异性、散热不均匀以及机械压力等常规因素，还将探究这些因素在复杂工况下的相互作用机制和耦合效应，建立更加完善的影响因素模型。二是对现有的并联芯片瞬态电流测量方法进行深入研究和对比分析，在罗氏线圈测量技术的基础上，结合最新的传感器技术和信号处理算法，探索提高测量精度、带宽和抗干扰能力的新方法，研制适用于高压大功率压接型IGBT器件的高精度瞬态电流测量系统。三是基于测量数据和理论分析，对并联芯片的瞬态电流特性进行系统的分析，包括开通过程和关断过程中的电流变化规律、电流不均衡程度的量化评估以及瞬态电流特性对器件性能和可靠性的影响机制研究，建立