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MEMS传感器工程师招聘笔试考试试卷和答案

一、填空题（每题1分，共10分）

1.MEMS的中文全称是。

答案：微机电系统

2.常见的MEMS传感器有加速度计、等。

答案：陀螺仪

3.MEMS工艺主要基于工艺。

答案：半导体

4.MEMS传感器的敏感元件用于被测量。

答案：感受

5.电容式MEMS传感器是通过检测变化来测量物理量。

答案：电容

6.MEMS传感器一般由敏感元件、和信号处理电路组成。

答案：转换元件

7.压电式MEMS传感器利用效应工作。

答案：压电

8.MEMS制造中光刻的目的是将转移到硅片上。

答案：掩膜图形

9.MEMS传感器的特性影响其测量精度。

答案：线性度

10.热式MEMS传感器是基于原理工作。

答案：热传导

二、单项选择题（每题2分，共20分）

1.以下哪种不属于MEMS传感器的优点（）

A.体积小B.精度低C.功耗低D.成本低

答案：B

2.下列MEMS工艺中，用于形成三维结构的是（）

A.光刻B.蚀刻C.镀膜D.键合

答案：B

3.MEMS加速度计测量的物理量是（）

A.速度B.加速度C.位移D.角度

答案：B

4.压阻式MEMS传感器是利用（）变化来检测物理量

A.电阻B.电容C.电感D.电压

答案：A

5.以下哪种不是MEMS传感器的封装形式（）

A.陶瓷封装B.塑料封装C.玻璃封装D.纸质封装

答案：D

6.MEMS传感器信号处理电路的作用不包括（）

A.放大信号B.滤波C.转换数字信号D.产生原始信号

答案：D

7.对于MEMS陀螺仪，主要测量的是（）

A.线加速度B.角加速度C.角速度D.角位移

答案：C

8.以下哪种材料常用于MEMS传感器制造（）

A.铜B.硅C.铝D.铁

答案：B

9.MEMS传感器的灵敏度定义为（）

A.输出变化量与输入变化量之比

B.输入变化量与输出变化量之比

C.输出信号与输入信号乘积

D.输出信号与输入信号之和

答案：A

10.在MEMS制造中，光刻的关键参数是（）

A.光刻胶厚度B.曝光时间C.图形分辨率D.显影时间

答案：C

三、多项选择题（每题2分，共20分）

1.以下属于MEMS传感器应用领域的有（）

A.汽车B.医疗C.消费电子D.航空航天

答案：ABCD

2.MEMS传感器的噪声来源包括（）

A.热噪声B.散粒噪声C.1/f噪声D.环境噪声

答案：ABC

3.以下哪些是MEMS制造中的光刻技术（）

A.接触式光刻B.接近式光刻C.投影式光刻D.电子束光刻

答案：ABCD

4.提高MEMS传感器精度的方法有（）

A.优化结构设计B.采用高精度制造工艺

C.进行温度补偿D.增加传感器尺寸

答案：ABC

5.MEMS传感器的接口类型有（）

A.SPIB.I2CC.USBD.CAN

答案：AB

6.以下哪些特性是衡量MEMS传感器性能的指标（）

A.灵敏度B.分辨率C.响应时间D.迟滞

答案：ABCD

7.压电式MEMS传感器的优点有（）

A.灵敏度高B.响应速度快C.结构简单D.成本低

答案：ABC

8.MEMS传感器与传统传感器相比，优势在于（）

A.微型化B.集成化C.智能化D.精度更高

答案：ABC

9.在MEMS传感器设计中，需要考虑的因素有（）

A.工作环境B.测量范围C.可靠性D.功耗

答案：ABCD

10.以下哪些属于MEMS传感器的敏感材料（）

A.硅B.压电陶瓷C.压阻材料D.光纤

答案：ABC

四、判断题（每题2分，共20分）

1.MEMS传感器只能测量单一物理量。（）

答案：错

2.光刻是MEMS制造中最关键的一步。（）

答案：对

3.MEMS加速度计的精度与质量块大小无关。（）

答案：错

4.所有MEMS传感器都需要信号处理电路。（）

答案：对

5.热式MEMS传感器受环境温度影响较小。（）

答案：错

6.MEMS传感器的封装不影响其性能。（）

答案：错

7.电容式MEMS传感器的线性度一定比压阻式好。（）

答案：错

8.MEMS工艺可以实现大规模生产。（）

答案：对

9.MEMS陀螺仪可以测量物体的静止角度。（）

答案：错

10.MEMS传感器的分辨率越高，测量精度一定越高。（）

答案：错

五、简答题（每题5分，共20分）

1.简述MEMS传感器的工作原理。

答案：MEMS传感器工作原理是通过敏感元件感受被测量，如加速度、压力等，敏感元件将物理量转化为电信号（如电阻、电容、电压等变化），再由转换元件进一步将这些电信号转换为更易处理的信号形式，最后经过信号处理电路进行放大、滤波、数字化等处理，输出可被系统识别和利用的信号，实现对物理量的测量与感知。

2.说明MEMS传感器制造中光刻工艺的作用及关键要点。

答案：光刻工艺在MEMS传感器制造中，作用是将设计好的掩膜图形精确转移到硅片等衬底上，确定芯片的结构和电路布局。关键要点包