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(2025年)硬件工程师笔试题附答案.docx

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    (2025年)硬件工程师笔试题附答案

    一、基础知识（共30分）

    1.（5分）判断以下描述是否正确，正确填“√”，错误填“×”：

    （1）CMOS逻辑门的静态功耗主要由PN结反向漏电流决定（）

    （2）LC并联谐振电路在谐振频率下阻抗最小（）

    （3）MOSFET的跨导gm定义为漏极电流变化量与栅源电压变化量的比值（）

    （4）差分放大电路的共模抑制比（CMRR）越大，抑制温漂的能力越强（）

    （5）开关电源中，电感电流连续模式（CCM）的纹波电流峰值小于断续模式（DCM）（）

    2.（8分）简答题：

    （1）简述BJT三极管工作在放大区时的偏置条件及载流子

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