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2025年（电子科学与技术）半导体材料试题及答案

第I卷（选择题共40分）

答题要求：请将正确答案的序号填在括号内。每题2分，共40分。

1.以下哪种材料不属于半导体材料？（）

A.硅B.锗C.铜D.砷化镓

2.半导体材料的导电性能介于（）之间。

A.导体和绝缘体B.超导体和导体C.绝缘体和超导体D.以上都不对

3.硅的原子序数是（）

A.14B.15C.16D.17

4.半导体材料中，参与导电的主要载流子是（）

A.电子B.离子C.电子和空穴D.质子

5.当温度升高时，半导体材料的导电能力（）

A.增强B.减弱C.不变D.先增强后减弱

6.以下哪种杂质会使硅半导体成为N型半导体？（）

A.硼B.磷C.碳D.氧

7.P型半导体中的多数载流子是（）

A.电子B.空穴C.离子D.中子

8.半导体二极管是由（）构成的。

A.一个P型半导体和一个N型半导体B.两个P型半导体C.两个N型半导体D.以上都不对

9.半导体三极管有（）个电极。

A.1B.2C.3D.4

10.集成电路是将多个（）集成在一块半导体芯片上。

A.电子元件B.电阻C.电容D.电感

11.以下哪种半导体材料常用于制造光电器件？（）

A.硅晶体B.非晶硅C.氮化镓D.碳化硅

12.半导体材料的禁带宽度与（）有关。

A.温度B.杂质浓度C.光照强度D.以上都是

13.本征半导体中，电子浓度和空穴浓度（）

A.相等B.电子浓度大于空穴浓度C.电子浓度小于空穴浓度D.不确定

14.在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（）

A.温度B.杂质浓度C.光照强度D.外加电压

15.半导体材料的光电效应是指（）

A.光照使半导体材料导电能力增强B.光照使半导体材料产生热量C.光照使半导体材料发生化学反应D.光照使半导体材料发射电子

16.以下哪种半导体材料具有较高的电子迁移率？（）

A.硅B.锗C.砷化镓D.碳化硅

17.半导体材料的击穿电压是指（）

A.使半导体材料失去导电能力的电压B.使半导体材料开始导电的电压C.使半导体材料的电流突然增大的电压D.使半导体材料的电阻突然增大的电压

18.制造大规模集成电路常用的半导体材料是（）

A.硅B.锗C.砷化镓D.氮化硅

19.半导体材料的热导率一般比金属材料（）

A.高B.低C.相等D.不确定

20.以下哪种现象不属于半导体材料的特性？（）

A.热敏性B.光敏性C.超导性D.掺杂性

第Ⅱ卷（非选择题共60分）

二、填空题（共20分）每题2分

1.半导体材料的主要特性包括____、____、____等。

2.硅的晶体结构是____。

3.杂质半导体分为____型半导体和____型半导体。

4.半导体二极管具有____特性。

5.半导体三极管按结构可分为____型和____型。

6.集成电路按功能可分为____、____、____等。

7.半导体材料的光电效应可分为____光电效应和____光电效应。

8.本征半导体中，电子和空穴的产生是由于____。

9.半导体材料的电阻率随温度的升高而____。

10.制造半导体器件的主要工艺包括____、____、____等。

三、简答题（共20分）每题5分

1.简述半导体材料的导电原理。

___

2.说明P型半导体和N型半导体的区别。

___

3.解释半导体二极管的单向导电性。

___

4.简述集成电路的发展历程及重要意义。

___

四、判断题（共20分）每题2分

1.半导体材料在任何情况下都不导电。（）

2.杂质半导体中的杂质越多，导电能力越强。（）

3.半导体二极管的正向电阻很小，反向电阻很大。（）

4.半导体三极管可以放大电流和电压。（）

5.集成电路只能集成数字电路，不能集成模拟电路。（）

6.光照越强，半导体材料的光电效应越明显。（）

7.本征半导体的导电能力比杂质半导体强。（）

8.半导体材料的热导率与温度无关。（）

9.制造半导体器件时，杂质的掺入越多越好。（）

10.半导体材料的特性只与材料本