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2025年（电子科学与技术）半导体材料科目试题及答案

第I卷（选择题共40分）

答题要求：请将正确答案的序号填在括号内。每题2分，共40分。

1.以下哪种材料不属于半导体材料？（）

A.硅

B.锗

C.铜

D.砷化镓

2.半导体的导电能力介于（）之间。

A.导体和绝缘体

B.超导体和导体

C.绝缘体和超导体

D.以上都不对

3.硅单晶的主要制备方法是（）。

A.区域熔炼法

B.化学气相沉积法

C.直拉法

D.物理气相沉积法

4.半导体中参与导电的载流子有（）。

A.电子

B.空穴

C.电子和空穴

D.离子

5.N型半导体中多数载流子是（）。

A.电子

B.空穴

C.离子

D.中子

6.P型半导体中多数载流子是（）。

A.电子

B.空穴

C.离子

D.质子

7.当温度升高时，半导体的导电能力（）。

A.增强

B.减弱

C.不变

D.先增强后减弱

8.半导体材料的禁带宽度与温度的关系是（）。

A.随温度升高而增大

B.随温度升高而减小

C.与温度无关

D.先随温度升高增大，后减小

9.以下哪种杂质属于施主杂质？（）

A.硼

B.铝

C.磷

D.镓

10.以下哪种杂质属于受主杂质？（）

A.磷

B.砷

C.锑

D.铟

11.半导体二极管是由（）构成的。

A.一个P型半导体和一个N型半导体

B.两个P型半导体

C.两个N型半导体

D.一个P型半导体和一个金属

12.半导体三极管有（）个电极。

A.1

B.2

C.3

D.4

13.集成电路是在（）基础上发展起来的。

A.半导体二极管

B.半导体三极管

C.半导体材料

D.以上都不对

14.以下哪种半导体材料常用于光电器件？（）

A.硅

B.锗

C.砷化镓

D.碳

15.半导体材料的纯度通常用（）来表示。

A.百分比

B.杂质含量

C.电阻率

D.晶向

16.硅的晶体结构是（）。

A.面心立方

B.体心立方

C.六方密排

D.简单立方

17.半导体中的电子和空穴的运动速度与（）有关。

A.温度

B.电场强度

C.杂质浓度

D.以上都是

18.以下哪种方法可以提高半导体材料的纯度？（）

A.退火

B.掺杂

C.提纯工艺

D.氧化

19.半导体材料的光电效应是指（）。

A.光照下产生电流

B.光照下电阻变化

C.光照下发射电子

D.以上都是

20.以下哪种半导体材料具有较高的电子迁移率？（）

A.硅

B.锗

C.砷化镓

D.碳化硅

第Ⅱ卷（非选择题共60分）

二、填空题（每题2分，共20分）

1.半导体材料按化学成分可分为______半导体和______半导体。

2.半导体的导电特性主要取决于______和______。

3.硅的原子序数是______，其价电子数是______。

4.N型半导体是在本征半导体中掺入______价杂质形成的，P型半导体是在本征半导体中掺入______价杂质形成的。

5.半导体二极管的正向偏置是指______接电源正极，______接电源负极。

6.半导体三极管的三个电极分别是______、______和______。

7.集成电路按功能可分为______集成电路、______集成电路和______集成电路等。

8.半导体材料的电学性能主要包括______、______、______等。

9.光电器件利用半导体的______效应、______效应等实现光电转换。

10.半导体材料的制备工艺主要包括______、______、______等。

三、简答题（每题5分，共20分）

1.简述半导体的导电原理

u半导体的导电是由于电子和空穴两种载流子的存在。在一定温度或光照等条件下，电子可以从价带激发到导带成为自由电子，同时在价带留下空穴。在电场作用下，电子和空穴分别定向移动形成电流。/u

2.说明N型半导体和P型半导体的区别

uN型半导体是在本征半导体中掺入五价杂质，多数载流子是电子；P型半导体是在本征半导体中掺入三价杂质，多数载流子是空穴。它们的导电特性、掺杂元素、载流子类型等都不同。/u

3.简述半导体二极管的单向导电性

u当二极管正向偏置时，外电场使空间电荷区变窄，多数载流子扩散形成较大电流，二极管导通；当反向偏置时，外电场使空间电荷区变宽，只有少数载流子漂移形成很小电流，二极管截止，呈现单向导电性。/u

4.解释集成电路的优点

u集成电路将多个电子元件集成在一块半导体芯