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2025年（电子科学与技术）半导体技术试题及答案

第I卷（选择题共40分）

答题要求：请将正确答案的序号填在括号内。每题2分，共20题。

1.以下哪种半导体材料常用于制造集成电路？（）

A.硅B.锗C.硒D.碲

2.半导体中参与导电的载流子有（）

A.电子B.空穴C.电子和空穴D.离子

3.杂质半导体中，P型半导体的多数载流子是（）

A.电子B.空穴C.正离子D.负离子

4.当温度升高时，半导体的导电能力（）

A.增强B.减弱C.不变D.先增强后减弱

5.二极管的主要特性是（）

A.放大作用B.单向导电性C.稳压作用D.滤波作用

6.三极管处于放大状态时，其发射结和集电结的偏置情况是（）

A.发射结正偏，集电结反偏B.发射结反偏，集电结正偏

C.发射结和集电结都正偏D.发射结和集电结都反偏

7.集成运算放大器的输入级通常采用（）

A.共发射极放大电路B.共集电极放大电路

C.差分放大电路D.功率放大电路

8.数字电路中，最基本的逻辑门电路是（）

A.与门B.或门C.非门D.与非门

9.以下哪种逻辑关系表示“只要有一个条件满足，结果就会发生”？（）

A.与逻辑B.或逻辑C.非逻辑D.与非逻辑

10.半导体存储器中，随机存取存储器的英文缩写是（）

A.ROMB.RAMC.PROMD.EPROM

11.以下哪种半导体器件可用于实现信号的放大和开关功能？（）

A.二极管B.三极管C.场效应管D.晶闸管

12.场效应管的控制方式是（）

A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电流D.电压控制电压

13.半导体三极管的三个电极分别是（）

A.发射极、基极、集电极B.阳极、阴极、栅极

C.源极、漏极、栅极D.正极、负极、中性极

14.以下哪种半导体工艺用于制造集成电路中的晶体管？（）

A.光刻B.氧化C.掺杂D.以上都是

15.半导体二极管的反向电流随温度升高而（）

A.增大B.减小C.不变D.先增大后减小

16.集成运算放大器的输出级通常采用（）

A.共发射极放大电路B.共集电极放大电路

C.互补对称功率放大电路D.差分放大电路

17.数字电路中，实现“有0出1，全1出0”逻辑功能的是（）

A.与门B.或门C.非门D.与非门

18.半导体存储器中，只读存储器的特点是（）

A.只能读出信息，不能写入信息B.只能写入信息，不能读出信息C.既能读出信息，又能写入信息D.以上都不对

19.以下哪种半导体器件常用于电力电子设备中的整流电路？（）

A.二极管B.三极管C.场效应管D.晶闸管

20.半导体三极管的电流放大倍数β反映了（）

A.基极电流对集电极电流的控制能力B.集电极电流对基极电流的控制能力C.发射极电流对集电极电流的控制能力D.集电极电流对发射极电流的控制能力

答案：1.A2.C3.B4.A5.B6.A7.C8.ABC9.B10.B11.B12.C13.A14.D15.A16.C17.D18.A19.D20.A

第Ⅱ卷（非选择题共60分）

（一）填空题（每题2分，共10题）

1.半导体材料的导电能力介于______和______之间。

2.P型半导体是在本征半导体中掺入______价杂质元素形成的。

3.二极管的正向导通电压一般为______。

4.三极管的三个工作区域分别是______、______和______。

5.集成运算放大器的主要性能指标有______、______、______等。

6.数字电路中，逻辑代数的三种基本运算为______、______和______。

7.半导体存储器按功能可分为______和______。

8.场效应管可分为______和______两大类。

9.半导体三极管的输入电阻______，输出电阻______。

10.整流电路的作用是将______电转换为______电。

答案：1.导体、绝缘体2.三3.0.6-0.7V4.放大区、饱和区、截止区5.输入失调电压、输入失调电流、开环电压