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2025年(电子科学与技术)电子器件技术试题及答案
第I卷(选择题共40分)
答题要求:本大题共20小题,每小题2分,共40分。在每小题给出的四个选项中,只有一项是符合题目要求的,请将正确答案涂在答题卡相应位置。
1.以下哪种电子器件不是基于半导体材料制成的?()
A.二极管
B.三极管
C.电阻
D.集成电路
2.半导体中参与导电的载流子是()
A.电子
B.空穴
C.电子和空穴
D.离子
3.二极管的伏安特性曲线呈现()
A.线性关系
B.指数关系
C.对数关系
D.抛物线关系
4.三极管处于放大状态时,其发射结和集电结的偏置情况是()
A.发射结正偏,集电结正偏
B.发射结正偏,集电结反偏
C.发射结反偏,集电结正偏
D.发射结反偏,集电结反偏
5.某三极管的β=50,当基极电流Ib=20μA时,集电极电流Ic为()
A.1mA
B.2mA
C.5mA
D.10mA
6.集成运算放大器的输入级通常采用()
A.共发射极放大电路
B.共集电极放大电路
C.差分放大电路
D.功率放大电路
7.以下哪种电路可以实现信号的放大?()
A.加法电路
B.减法电路
C.微分电路
D.放大电路
8.数字电路中,最基本的逻辑门是()
A.与门
B.或门
C.非门
D.以上都是
9.一个4位二进制数能表示的最大十进制数是()
A.15
B.16
C.31
D.32
10.以下哪种存储器件属于易失性存储器?()
A.ROM
B.RAM
C.EPROM
D.EEPROM
11.半导体二极管的主要特性是()
A.单向导电性
B.放大作用
C.稳压作用
D.滤波作用
12.三极管的三个电极分别是()
A.基极、发射极、集电极
B.阳极、阴极、栅极
C.源极、漏极、栅极
D.正极、负极、中性极
13.集成运算放大器的开环电压放大倍数通常()
A.很高
B.很低
C.为0
D.不确定
14.逻辑函数F=A+AB的最简形式是()
A.A
B.B
C.A+B
D.AB
15.十进制数10对应的二进制数是()
A.1010
B.1100
C.1110
D.1000
16.只读存储器(ROM)的特点是()
A.只能读不能写
B.只能写不能读
C.既能读又能写
D.读写速度快
17.以下哪种电子器件常用于将模拟信号转换为数字信号?()
A.编码器
B.译码器
C.模数转换器(ADC)
D.数模转换器(DAC)
18.三极管在饱和状态时,其集电极电流Ic主要取决于()
A.基极电流Ib
B.电源电压Vcc
C.集电极电阻Rc
D.三极管的β值
19.数字电路中,实现“异或”逻辑功能的门电路是()
A.与门
B.或门
C.非门
D.异或门
20.以下哪种电路可以实现信号的整形?()
A.施密特触发器
B.单稳态触发器
C.多谐振荡器
D.以上都是
第Ⅱ卷(非选择题共60分)
(一)填空题(共10分)
答题要求:本大题共5小题,每小题2分,共10分。请将答案填写在答题卡相应位置的横线上。
1.半导体材料的导电能力介于______和______之间。
2.三极管的电流放大倍数β=______。
3.集成运算放大器由输入级、______、输出级和偏置电路组成。
4.逻辑代数中的三种基本运算为与、______、______。
5.存储器按功能可分为______和______。
(二)判断题(共10分)
答题要求:本大题共5小题,每小题2分,共10分。判断下列说法的正误,正确涂A,错误涂B。
1.半导体二极管加正向电压时一定导通。()
2.三极管的发射极和集电极可以互换使用。()
3.集成运算放大器只能放大直流信号。()
4.逻辑函数的化简可以采用代数法和卡诺图法。()
5.随机存取存储器(RAM)断电后数据不会丢失。()
(三)简答题(共20分)
答题要求:本大题共4小题,每小题5分,共20分。请简要回答问题,答案写在答题卡相应位置的横线上。
1.简述半导体二极管的单向导电性。
u当二极管加正向电压时,二极管导通,呈现很小的电阻,电流可以顺利通过;当加反向电压时,二极管截止,呈现很大的电阻,电流几乎不能通过,这就是二极管的单向导电性。/u
2.说明三极管放大作用的外部条件。
u三极管放大作用的外部条件是发射
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