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2025年（电子科学与技术）电子器件试题及答案

分为第I卷（选择题）和第Ⅱ卷（非选择题）两部分，满分100分，考试时间90分钟。

第I卷（选择题共40分）

答题要求：请将正确答案的序号填在括号内。

一、单项选择题（总共10题，每题2分）

1.以下哪种电子器件不是半导体器件？（）

A.二极管B.三极管C.电阻D.场效应管

2.半导体中参与导电的载流子有（）

A.电子B.空穴C.电子和空穴D.离子

3.P型半导体中多数载流子是（）

A.电子B.空穴C.离子D.中子

4.二极管正向导通时，其两端电压降一般为（）

A.0.1V左右B.0.3V左右C.0.7V左右D.1V左右

5.三极管工作在放大区时，发射结和集电结的状态是（）

A.发射结正偏，集电结正偏B.发射结正偏，集电结反偏

C.发射结反偏，集电结正偏D.发射结反偏，集电结反偏

6.场效应管的控制方式是（）

A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电流D.电压控制电压

7.集成运算放大器的输入级一般采用（）

A.共发射极放大电路B.共集电极放大电路

C.差分放大电路D.功率放大电路

8.稳压二极管工作在（）

A.正向导通区B.反向截止区C.反向击穿区D.放大区

9.以下哪种不是常见的半导体材料？（）

A.硅B.锗C.铜D.GaAs

10.三极管的电流放大倍数β一般在（）

A.10以下B.10-100C.100-1000D.1000以上

答案：1.C2.C3.B4.C5.B6.C7.C8.C9.C10.C

二、多项选择题（总共10题，每题2分）

1.半导体器件的特点包括（）

A.体积小B.重量轻C.功耗低D.寿命长

2.以下属于二极管应用的有（）

A.整流B.检波C.限幅D.开关

3.三极管的三个电极分别是（）

A.发射极B.基极C.集电极D.栅极

4.场效应管的类型有（）

A.结型场效应管B.绝缘栅型场效应管

C.功率场效应管D.开关场效应管

5.集成运算放大器的组成部分有（）

A.输入级B.中间级C.输出级D.偏置电路

6.稳压二极管的稳压原理是利用其（）

A.正向特性B.反向特性C.反向击穿特性D.放大特性

7.半导体材料的特性有（）

A.热敏性B.光敏性C.掺杂性D.绝缘性

8.二极管的主要参数有（）

A.最大整流电流B.反向电流C.最高反向工作电压D.极间电容

9.三极管的主要参数有（）

A.电流放大倍数βB.穿透电流IceoC.集电极最大允许电流IcmD.集电极-发射极反向击穿电压Uceo

10.场效应管的主要参数有（）

A.跨导gmB.开启电压Ugs(th)C.夹断电压Ugs(off)D.漏极饱和电流Idss

答案：1.ABCD2.ABCD3.ABC4.AB5.ABCD6.C7.ABC8.ABCD9.ABCD10.ABCD

三、判断题（总共4题，每题5分）

1.半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。（）

2.二极管只要加上正向电压就一定会导通。（）

3.三极管的β值越大，其放大能力越强，性能越好。（）

4.场效应管比三极管的输入电阻小。（）

答案：1.√2.×3.×4.×

第Ⅱ卷（非选择题共60分）

四、填空题（总共10题，每题2分）

1.半导体中的杂质分为（）和（）两种。

2.二极管按结构可分为（）和（）。

3.三极管的输出特性曲线可分为（）、（）和（）三个区域。

4.场效应管根据栅极与源极之间的绝缘层材料不同可分为（）和（）。

5.集成运算放大器的输入失调电压是指（）。

6.稳压二极管的动态电阻越小，其稳压性能越（）。

7.半导体的本征激发产生（）和（）。

8.二极管的反向电流随温度的升高而（）。

9.三极管的发射区掺杂浓度比基区（）。

10.场效应管的漏极电流是由（）的漂移运动形成的。

答案：1.施主杂质、受主杂质2.点接触型、面接触型3.放大区、饱和区、截止区4.MOS场效应管、结型场效应管5.使输出电压为零时，在输入端所加的补偿电压