磁控溅射法制备金属掺杂In₂O₃薄膜：工艺、结构与性能的深度探究.docx

磁控溅射法制备金属掺杂In?O?薄膜：工艺、结构与性能的深度探究

一、引言

1.1研究背景与意义

在材料科学的广阔领域中，透明导电氧化物（TCO）薄膜凭借其独特的光学和电学性能，成为众多光电器件的关键组成部分。氧化铟（In?O?）薄膜作为TCO薄膜的杰出代表，以其高透明度和良好的导电性，在平板液晶显示器、太阳能电池、发光二极管等光电领域展现出广泛的应用前景。

In?O?是一种宽禁带半导体材料，禁带宽度约为3.6-4.3eV。在可见光范围内，它具有出色的透光性，透光率通常可达80%以上，这使得光线能够高效地透过薄膜，为显示设备提供清晰、明亮的视觉效果，以及为太阳能电池捕获更多