高k材料与能带工程协同驱动闪存器件性能革新的深度剖析.docx

高k材料与能带工程协同驱动闪存器件性能革新的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代科技飞速发展的时代，电子产品的更新换代日新月异，从智能手机、平板电脑到高性能计算机，从物联网设备到数据中心，各类电子产品广泛渗透到人们生活和工作的方方面面。这些电子产品对存储器件的性能提出了极为严苛的要求，闪存器件作为现代计算机存储的基石，因其具有非易失性、高读写速度、低功耗以及高可靠性等优势，在数据存储领域占据着举足轻重的地位，成为了众多电子产品不可或缺的关键部件。

然而，传统的电性浮闪存器件在发展过程中遭遇了诸多瓶颈。随着晶体管维度不断缩小，工艺制造难度呈指数级增加，这不仅导致了制造成本的大幅上升