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溶胶-凝胶法制备ITO薄膜及其性能的多维度研究.docx

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    溶胶-凝胶法制备ITO薄膜及其性能的多维度研究

    一、引言

    1.1ITO薄膜概述

    ITO薄膜，即掺锡氧化铟（IndiumTinOxide）薄膜，是一种n型半导体材料，其主要成分是氧化铟（In?O?），并通过掺杂少量的锡（Sn）元素来提升其导电性能，一般In?O?与SnO?的比例为9:1。在In?O?晶格中，Sn元素替代部分In元素，以SnO?的形式存在，由于In元素为三价，而Sn形成SnO?时会贡献一个电子到导带上，同时在一定缺氧状态下产生氧空穴，进而形成102?至1021cm?3的载流子浓度和10至30cm2/vs的迁移率，赋予了IT

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