常用半导体传感器.pptVIP

**常用半导体传感器第1页，共18页，星期日，2025年，2月5日d为霍尔元件的厚度洛伦兹力：FL=-evB电荷聚集，UH产生静电场产生反力：FE=-eEU=-eUH/b平衡时：FL=FE，-evB=-eUH/bUH=bvBI为控制电流：I=dQ/dt=bdvn(-e)bv=I/[dn(-e)]则：UH=IB/[dn(-e)]取RH=1/[n(-e)]霍尔常数,由半导体材料决定则：UH=RHIB/d取KH=RH/d则：UH=KHIB霍尔效应的产生是由于运动电荷受磁场中洛伦兹力作用的结果：UH=KHIBb为霍尔元件的宽度n为单位体积内自由电子数第2页，共18页，星期日，2025年，2月5日UH=KHIB霍尔电势的大小正比于控制电流I和磁感应强度B的乘积。KH称为霍尔元件的灵敏度，它是表征在单位磁感应强度和单位控制电流时输出霍尔电压大小的重要参数当控制电流方