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电力电子仿真：电力电子基础理论_（5）.MOSFET和IGBT的工作原理.docx

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    MOSFET和IGBT的工作原理

    MOSFET的基本结构和工作原理

    基本结构

    MOSFET（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种非常重要的电力电子器件，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等场合。MOSFET的基本结构由四个主要部分组成：源极（Source）、漏极（Drain）、栅极（Gate）和体极（Body）。

    源极（Source）：源极是电流的输入端，通常与体极连接。

    漏极（Drain）：漏极是电流的输出端。

    栅极（Gate）：栅极是控制电流的端口，

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